[发明专利]普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法

说明书

技术领域

本发明涉及普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法。

背景技术

在硬质合金产品在生产的中，产品的质量和稳定性对设备的要求非常高，对于动辄上百万的烧结炉，小型的生产企业是较难承受的。对于陈旧的设备，设备稳定性差，低钴细晶的两相区较窄，这样的设备是很难稳定地烧出合格的低钴细晶产品。一次烧结必须通过真空烧结才能控制产品内部孔隙率，而一次烧结升温速度不能过快，太快产品容易开裂，升温速度慢，炉内损碳多，产品容易脱碳。

发明内容

本发明的目的在于提供普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，能够有效解决现有普通烧结炉在烧制低钴细晶硬质合金时产品质量不易控制的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，依次包括以下步骤：

A.第一次烧结：将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内，抽真空后通入惰性气体进行脱蜡；脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结，烧结温度低于共晶点温度10～20℃，保温30～120分钟；

B.第二次烧结：抽真空进行二次烧结，采用5-20℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度1380～1470℃，时间60-120分钟，降至室温完成烧结。

优选的，所述第一次烧结完成时，毛胚完成产品收缩80～90％；使毛胚表面能降低，从而降低胚胎表面的活性，不易与空气进行反应，但表面又不完全致密，在二次烧结时利于气体排出。

优选的，步骤A中微正压烧结压力为0.15～0.25MPa；惰性气体能更好的保护毛胚不予外界空气反应。

优选的，步骤A中通入的惰性气体为氩气；具有稳定的化学性质，又无毒无害。

与现有技术相比，本发明的优点是：采用本方法和常规烧结方法对比，钴磁从4.2升到5.2，先用氩气正压脱蜡，脱蜡后用氩气微正压保护烧结，烧结温度接近但低于共晶点温度，保温一段时间，此时产品完成收缩的80％-90％，晶粒表面能迅速降低，对氧的敏感程度降低，降温后进行第二次真空烧结，二次真空烧结可以通过较快的升温速度，这样尽可能地降低炉内损碳，这样能把内部气体脱除，产品内部孔隙大大降低。

具体实施方式

普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法的实施例，以烧制牌号YG6X低钴细晶硬质合金为例，将该牌号毛胚放入普通烧结炉内，抽真空后通入氩气或者氦气等稀有气体进行脱蜡，脱蜡后炉内保持0.2MPa进行微正压烧结，烧结温度为1250℃，保温90分钟，降至常温然后抽真空进行二次烧结，采用10℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度为1430℃，保温60分钟。

采用上述方法烧结后钴磁为5.2，孔隙度为A02B00，而采用一次烧结脱蜡，抽真空烧结，烧结温度1430℃，保温60分钟，测得钴磁为4.2，产品脱碳严重。

先用氩气正压脱蜡，脱蜡后用氩气微正压保护烧结，烧结温度接近但低于共晶点温度，保温一段时间，此时产品完成收缩的80％-90％，晶粒表面能迅速降低，对氧的敏感程度降低，降温后进行第二次真空烧结，二次真空烧结可以通过较快的升温速度，这样尽可能地降低炉内损碳，这样能把内部气体脱除，内部残留的气体可以及时排出，不会给产品内部造成过多的空隙。

以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的技术特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。