[发明专利]软开关半导体器件及其生产方法

说明书

本申请的各实施例涉及软开关半导体器件及其生产方法。一种半导体器件，具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及在第一垂直方向远离该第一侧而被布置的第二侧。该半导体器件具有整流结、第一导通类型的场停止区以及被布置在该整流结和场停止区之间的第一导通类型的漂移区。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向的线具有净掺杂浓度。应用(a)和(b)中的至少一个：(a)该漂移区在第一深度具有电荷重心，其中在该整流结和该电荷重心之间的距离小于该漂移区在第一垂直方向的厚度的37％；(b)该净掺杂浓度的绝对值沿该直线并且在该漂移区之内包括局部最大值。

技术领域

本发明涉及一种具有低开关损耗的软开关半导体器件以及一种用于生产这样的半导体器件的方法。

背景技术

常规半导体器件经常趋向于显示出具有明显振荡和/或开关损耗的开关表现。

因此，存在对改进的半导体器件以及用于生产改进的半导体器件的方法的需要。

发明内容

第一方面涉及一种半导体器件。该半导体器件具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。该第二侧在第一垂直方向远离该第一侧而被布置。该半导体器件进一步具有整流结、被布置在该半导体主体中的场停止区以及在该整流结和该场停止区之间、被布置在该半导体主体中的漂移区。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向延伸的直线具有净掺杂浓度N_NET。由此，应用(a)和(b)中的至少一个：

a.该漂移区在第一深度处具有掺杂电荷重心，其中在该整流结和该掺杂电荷重心之间的距离小于该漂移区在该第一垂直方向的厚度的37％；

b.该净掺杂浓度的绝对值沿该直线并且在该漂移区之内具有局部最大值。

第二方面涉及一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括步骤：提供半导体载体，在该半导体载体上生产半导体架构，由此在该半导体载体上外延生长晶体半导体结构，并且然后去除该半导体载体以使得留下半导体器件，该半导体器件具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。该第二侧在第一垂直方向远离该第一侧而被布置。该半导体器件进一步具有整流结、被布置在该半导体主体中的场停止区以及在该整流结和该场停止区之间、被布置在该半导体主体中的漂移区。该场停止区和该漂移区二者具有第一导通类型。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向延伸的直线具有净掺杂浓度N_NET。由此，应用(a)和(b)中的至少一个：

c.该漂移区在第一深度处具有电荷掺杂重心，其中在该整流结和该掺杂电荷重心之间的距离小于该漂移区在该第一垂直方向具有的厚度的37％；

d.该净掺杂浓度的绝对值沿该直线并且在该漂移区之内具有局部最大值。

第三方面涉及一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括步骤：提供半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。将导致第一导通类型的电活性第一掺杂物和第一导通类型的电活性第二掺杂物通过该第一侧扩散到该半导体主体中。该第一掺杂物在该半导体主体中具有比该第二掺杂物的扩散系数更高的扩散系数。另外，产生整流结以及被布置在该半导体主体中的该第一导通类型的场停止区。所产生的半导体主体进一步具有在该整流结和高场停止区之间、被布置在该半导体主体中的该第一导通类型的漂移区。所完成的半导体器件具有半导体主体，该半导体主体具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。该第二侧在第一垂直方向远离该第一侧而被布置。该半导体器件进一步具有整流结、被布置在该半导体主体中的场停止区以及在该整流结和场停止区之间、被布置在该半导体主体中的漂移区。该场停止区和该漂移区二者具有第一导通类型。该半导体主体沿平行于该第一垂直方向延伸的直线具有净掺杂浓度N_NET。由此，应用(a)和(b)中的至少一个：

e.该漂移区在第一深度处具有掺杂电荷重心，其中在该整流结和该掺杂电荷重心之间的距离小于该漂移区在第一垂直方向具有的厚度的37％；