[发明专利]具有不同宽度单元层的图像传感器装置及相关方法有效
申请号: | 201510634129.2 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105590938B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | D·A·德拉克鲁兹;D·加尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 新*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 不同 宽度 单元 图像传感器 装置 相关 方法 | ||
一种图像传感器装置可以包括互连层、该互连层上的图像传感器IC以及与该互连层相邻并且具有多条第一导电迹线的镜筒。该图像传感器装置可以包括液晶聚焦单元,该液晶聚焦单元由该镜筒承载并且具有多个单元层以及多个第二导电触点。一对相邻单元层可以具有不同的宽度。该图像传感器装置可以包括导电粘合剂本体,该导电粘合剂本体将这些第二导电触点中的至少一个导电触点耦接至这些第一导电迹线中的相应的导电迹线上。
技术领域
本披露涉及电子装置领域,并且更具体地涉及图像传感器及相关方法。
背景技术
通常,电子装置包括用于提供增强的媒体功能的一个或多个照相机模块。例如,典型的电子装置可以利用这些照相机模块进行照片拍摄和视频电话会议。在具有多个照相机模块的典型电子装置中,主照相机模块具有高像素密度和可调焦距透镜系统,而副照相机模块是前置的并且具有较低的像素密度。同样,副照相机模块可以具有固定焦距透镜系统。
例如,授予布罗迪(Brodie)等人、被转让给本申请的受让人的美国专利申请号2009/0057544披露了一种用于移动装置的照相机模块。该照相机模块包括透镜、承载透镜的壳体以及在透镜和壳体之上的透镜盖。该照相机模块包括用于调节透镜的镜筒(barrel)机构。在包括一个或多个照相机模块的电子装置的制造期间,尤其是在大批量生产运行中,期望尽可能快地制造电子装置。同样,在给定典型的移动装置应用的情况下,期望减小照相机模块的尺寸。
减小光学装置的尺寸的一种方案包括使用作为可变焦距透镜运行的液晶单元。在液晶单元中,施加一个小的控制电压以动态地改变光所穿过的材料的折射率,而不像对透镜进行聚焦的传统机械方案那样物理地移动透镜元件。这种液晶单元可从加利福尼亚州桑尼维尔市的LensVector公司获得。
在光学装置内(例如,在透镜壳体内)连接液晶单元可以通过使用导电粘合剂来进行。更具体的是,可以将一对或多对相对的导电触点与液晶单元相关联,并且使用导电粘合剂来对这些电触点进行电耦接。
授予奥斯特(Oostra)等人的美国专利申请公开号2011/0221950披露了照相机装置。该照相机装置包括图像传感器集成电路(IC)以及在该图像传感器IC之上的透镜。该照相机装置还包括在图像传感器IC之上的电可变焦距聚合物稳定的液晶透镜以及在该可变焦距聚合物稳定的液晶透镜周围的导电胶。
参照图1至图3,示出了一种图像传感器装置90的方案。图像传感器装置90包括液晶单元91,该液晶单元包括多个单元层92a-92d以及由其所承载的多个导电触点93a-93b。图像传感器装置90包括壳体94、由该壳体承载的多条导电迹线95a-95b以及耦接这些导电迹线与这些导电触点的导电粘胶96。壳体94和液晶单元91在其间限定了凹陷98,并且导电粘胶96填充该凹陷(在图2A至图2B中所示出的制造步骤期间由喷嘴97滴涂)。
发明内容
一般而言,一种图像传感器装置可以包括互连层、在该互连层上并具有图像感测表面的图像传感器IC以及与该互连层相邻并且包括第一多条导电迹线的镜筒。该图像传感器装置可以包括液晶聚焦单元,该液晶聚焦单元由该镜筒承载并且包括多个单元层以及与其相关联的第二多个导电触点,至少一对相邻单元层具有不同的宽度。该图像传感器装置可以包括导电粘合剂本体,该导电粘合剂本体将该第二多个导电触点中的至少一个导电触点耦接至该第一多条导电迹线中的相应的导电迹线上。
在某些实施例中,该多个单元层可以具有斜切的外围边缘。该斜切的外围边缘可以在与该镜筒相邻的底部较宽。在其他实施例中,该至少一对相邻单元层可以具有阶梯状外围边缘。该阶梯状外围边缘可以具有对应的第二导电触点的暴露部分。
更具体地,该导电粘合剂本体在其与该第二多个导电触点相对的一侧上是不受限制的。在某些实施例中,该液晶聚焦单元可以包括固态自动聚焦透镜单元,并且该第二多个导电触点可以被配置为用于控制该固态自动聚焦透镜单元的自动聚焦功能。例如,该液晶聚焦单元的每单元层可以是正方形形状的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的