[发明专利]一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201510634563.0 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105271798B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 谈国强;郑玉娟;乐忠威;杨玮;夏傲;王通;任慧君 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 岳培华 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铁磁性 性能 bi sub 0.9 er 0.1 fe co 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能材料领域,涉及一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜及其制备方法。
背景技术
多铁材料为在同一相中同时具有铁电有序(反铁电有序)、铁磁有序(反铁磁有序)或铁弹有序,并且在一定温度范围内,这几种有序相互耦合由此极大的改变了多铁材料的性能。多铁性(磁电)材料作为一种新型多功能材料,不但能用于单一铁性材料的应用领域,更在新型磁-电传感器件、自旋电子器件、新型信息存储器件等领域展现出巨大的应用前景。BiFeO3是目前单相多铁性磁电材料中唯一具有高于室温的居里温度850℃和尼尔温度370℃的材料,因此受到了广泛的研究。
但是由于BiFeO3的螺旋磁结构,使得BiFeO3呈G型反铁磁性,在低电场下仅表现出微弱的铁磁性,其较小的磁电耦合特性阻碍了其在多铁方面的实际应用。一般ABO3钙钛矿结构的铁电体需要B位离子的d轨道上没有电子占据而呈d0态。而对于d轨道上没有电子的结构,其无法形成局域磁矩,即无法产生任何种类的磁有序结构。这两种完全不同的物理性质从理论上被证明是相互排斥的。BiFeO3材料在室温下仅具有弱磁性,这将限制其进一步的发展。而若破坏BiFeO3的自旋调制结构,则可以使磁性得到增强。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜及其制备方法,该方法中掺杂量容易控制,制备的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜均匀性好,且具有高铁磁性能和铁电性能,能够提高BiFeO3薄膜的铁磁性能。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜,其化学式为Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3,其中x=0.01~0.03,其晶型为菱方R3c:H与三斜P1相共存。
其饱和磁化强度为2.36~17.1emu/cm3,剩余磁化强度为0.24~6.2emu/cm3。
在1kHz频率及750kV/cm测试电场下,其饱和极化强度为70.77~141.81μC/cm2、剩余极化强度为57.72~126.67μC/cm2、矫顽场为384~622kV/cm。
高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜的制备方法,包括以下步骤:
步骤1,按摩尔比为0.945:0.10:1-x:x将硝酸铋、硝酸铒、硝酸铁和硝酸钴溶于溶剂中,搅拌均匀,得到Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3前驱液,其中Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3前驱液中金属离子的总浓度为0.1~0.3mol/L,x=0.01~0.03,溶剂为乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510634563.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含铈离子掺杂溴化镧微晶的玻璃薄膜的制备方法
- 下一篇:一种平面玻璃用蒙砂机
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法