[发明专利]一种用于半导体电热膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体电热膜的制备方法，包括以下步骤：

1）、配制半导体电热膜的溶液：以重量百分比计，水合四氯化锡(SnCl4.5H20)38%，四氯化钛(TiCl4)9%，三氯化锑(SbCl3)2-3%，三氯化钛(TiCl3)3%，余量为无水乙醇；将上述材料混合在25-28℃恒温中搅拌均匀即得；

2）、处理电热膜元件：

（a）、将电热膜元件基材表面清洗，风干待用；

（b）、夹装在喷涂工装上；

（c）、将喷涂工装送至密闭的加热腔体内，温度控制在600-620°C；

（d）、通过喷嘴将源溶液雾化并喷至加热腔体内的基材表面，且发生化学与物理双重反应，产物结合在所述基材表面，即在基材表面镀上了电热膜溶液，从喷涂到充分接触总的时间为四十分钟，然后将其取出自然冷却即可；

（e）、对镀有电热膜的基材进行电阻测试；

（f）、电极烧结将所述基材镀膜面的两端均匀涂上银电极浆料；

（g）、涂上银电极浆料的基材通过机械联动装置送至密闭的保温炉腔体内，保温炉分五段分别进行加温，一段温度为605°C、二段温度为610°C、三段温度为615°C，四段温度为610°C，五段温度为560°C，每段用时四分钟，五段总共用时二十分钟即烧结制成电极；

（h）、包装。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体电热膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中的电热膜元件基材为硼硅玻璃、石英玻璃或微晶玻璃，基材形状为管状、平面状。