[发明专利]基于新型印迹识别的甲硝唑电化学传感器及制备方法与应用有效
申请号: | 201510638279.0 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105181780B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 邓健;肖妮;李辉;梁俊;程健琳;琚赛琴 | 申请(专利权)人: | 南华大学 |
主分类号: | G01N27/48 | 分类号: | G01N27/48 |
代理公司: | 衡阳市科航专利事务所 43101 | 代理人: | 杨代祯 |
地址: | 421001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 新型 印迹 识别 甲硝唑 电化学传感器 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于新型印迹识别的甲硝唑电化学传感器,其特征是采用如下方法制成的:
一、制备碳糊电极:将石墨粉和石蜡油以重量比74~94:26~6在研钵中充分混匀成碳糊,然后将其紧密填充入聚丙烯塑料管中,管子的一端插入导线作为外电路连接点,将另一端端面的碳糊打磨成光滑的镜面,制成碳糊电极;
二、制备表面含烷氧硅基的聚苯胺型导电膜碳糊电极:将上述制备的碳糊电极置于含0.08~0.12mol·L-1功能单体AMTEOS的0.15~0.25mol·L-1硫酸溶液中,电位循环扫描13~17圈,电位扫描范围为-0.8~1.2V,扫描速率为100~140mV·s-1,在电极表面沉积含烷氧硅基的聚苯胺型导电膜,所得电极简称为导电膜碳糊电极,用乙醇洗涤备用;
三、制备双层异质分子印迹聚合物膜修饰碳糊电极(CPE/HDL-MIP):首先按配比将氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)、四乙氧基硅烷(TEOS)、2-乙氧基乙醇与含0.01~0.05mol·L-1甲硝唑的2-乙氧基乙醇溶液混合,30~50℃搅拌至均匀;然后加入0.1mol·L-1NaOH溶液和去离子水,再搅拌至溶胶形成;APTMS、TEOS、2-乙氧基乙醇、含0.01~0.05mol·L-1甲硝唑的2-乙氧基乙醇溶液、0.1mol·L-1NaOH溶液和去离子水的体积配比为1~3:2~10:40~100:10~18:2~8:1~2;取此溶胶5~20μL滴涂到第二步制备的导电膜碳糊电极表面,室温下静置过夜、使电极表面修饰层发生水解-缩聚反应,形成双层异质分子印迹聚合物膜,同时使溶剂蒸发;最后,将该电极用有机溶剂反复清洗,直至甲硝唑被完全洗除干净,得到双层异质分子印迹聚合物膜修饰碳糊电极(CPE/HDL-MIP);
四、组装基于新型印迹识别的甲硝唑电化学传感器:将第三步制备的双层异质分子印迹聚合物膜修饰碳糊电极(CPE/HDL-MIP)与具有差分脉冲伏安扫描功能的电化学装置连接,即组装成本发明基于新型印迹识别的甲硝唑电化学传感器,本发明传感器采用常规三电极系统,CPE/HDL-MIP作为工作电极。
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