[发明专利]一种GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201510639315.5 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105140367B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 郑树文;韩振伟;何苗;李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 江裕强,何淑珍 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED外延结构，包括在衬底上依次生长的GaN成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻档层和p型GaN层，其特征在于：所述电子阻档层是由AlxGa1-xN层、多周期GaN/InyGa1-yN超晶格结构层和AlzGa1-zN层构成；其中, 0<x≤0.8, 0<y≤0.2, 0<z≤0.5。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于所述电子阻档层中的AlxGa1-xN层是生长在LED外延结构的发光层之上，接着生长多周期的GaN/InyGa1-yN超晶格结构层，然后再生长AlzGa1-zN层。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基LED外延结构，其特征在于所述多周期GaN/InyGa1-yN超晶格结构层，其周期数为2至15，每个周期依次包括GaN层和InyGa1-yN材料层，每个GaN层和InyGa1-yN材料层的厚度均为1nm至6nm。
4.根据权利要求3所述的GaN基LED外延结构，其特征在于所述电子阻档层中的AlxGa1-xN层和AlzGa1-zN层的厚度都不超过20nm。
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