[发明专利]一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法

权利要求书

1.一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，它包括光转换浆料的制备、LED倒装芯片阵列膜的准备、带预制光转换膜的LED封装体元件的制备、带精制光转换膜的LED封装体元件的制备和成品LED封装体元件的制备基本工序构建的流程式连续工艺，其基本步骤如下：

步骤1，光转换浆料的制备：在真空加热条件下，将光转换材料和触变性有机硅树脂高速搅拌混合，形成光转换浆料；

步骤2，LED倒装芯片阵列膜的准备：获得以阵列方式排列于载体膜上的LED倒装芯片阵列膜；所述LED倒装芯片是指单个LED倒装芯片或LED倒装芯片组件；所述LED倒装芯片组件由两个或两个以上的单个LED倒装芯片组合而成；

步骤3，带预制光转换膜的LED封装体元件的制备：将步骤1所述光转换浆料通过定量刷贴机的定量刷对步骤2所述LED倒装芯片阵列膜上的LED倒装芯片面层进行刷贴，得到带预制光转换膜的LED封装体元件；

步骤4，带精制光转换膜的LED封装体元件的制备：将步骤3所述带预制光转换膜的LED封装体元件通过精制装置进行光照辐射和磁振，从而得到带精制光转换膜的LED封装体元件；其中：所述精制装置包括光照辐射器和磁振器，两者相向对准分别设置在传送装置上下两侧，由所述光照辐射器产生的光照辐射能量与磁振器产生的磁振力协同作用于所述带预制光转换膜的LED封装体元件上；

步骤5，成品LED封装体元件的制备：将步骤4所述带精制光转换膜的LED封装体元件进行滚压裁切，形成具有分割为单颗LED封装体元件的切缝的成品LED封装体元件。

2.根据权利要求1所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述光转换材料为荧光粉或量子点荧光体。

3.根据权利要求2所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述触变性有机硅树脂的触变指数为大于或等于10。

4.根据权利要求3所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤1所述光转换浆料中还包括粘接剂。

5.根据权利要求4所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤4所述光照辐射器的光照辐射的温度为140～180℃；所述磁振器的磁场强度为≧1mT、磁振频率为≧20Hz、磁振方式为连续。

6.根据权利要求5所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤5所述切缝的缝宽为20μm以内。

7.根据权利要求6所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤5所述带精制光转换膜的LED封装体元件进行裁切是指将LED封装体元件通过由带阵列刀口的滚压装置和光面滚压装置进行相向对准滚压裁切；其中：所述带阵列刀口的滚压装置为带有阵列刀口的单辊轮或带有阵列刀口的平面传送装置；所述光面滚压装置为光面的单辊轮或光面的平面传送装置；所述带有阵列刀口的滚压装置与所述光面滚压装置中至少一个为单辊轮；所述阵列刀口为具有阵列矩形格子的刀口。

8.根据权利要求7所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于，步骤2所述LED倒装芯片阵列膜的载体膜为可拉伸载体膜，所述可拉伸载体膜的材质为耐高温聚酯、聚二甲基硅氧烷和聚氯乙烯中的一种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种密实型有机硅树脂光转换体刷贴封装LED的工艺方法，其特征在于还包括将步骤5所述成品LED封装体元件，再通过拉伸机对其可拉伸载体膜进行拉伸扩膜，使得成品LED封装体元件在拉伸后即沿所述切缝分割，从而制得成品单颗LED封装体元件。