[发明专利]蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201510639770.5 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105331934A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 广部吉纪;松元丰;牛草昌人;武田利彦;西村佑行;小幡胜也;竹腰敬 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;H01L51/56;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 朴渊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蒸镀掩模 有机半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种蒸镀掩模，其特征在于，
所述蒸镀掩模由金属掩模和树脂掩模层积而成，所述金属掩模设置有缝隙，所述树脂掩模在与所述缝隙重叠的位置设置有与蒸镀制作的图案相对应的开口部，
在所述金属掩膜和所述树脂掩膜之间，设置有包含金属、无机氧化物、无机氮化物中的任一种的阻挡层。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
在所述金属掩膜上设置有两个以上的所述缝隙。
3.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述缝隙的开口空间由桥接部限定。
4.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述金属掩膜为磁性体。
5.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述开口部的剖面形状具有朝向蒸镀源方向扩展的形状。
6.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述缝隙的剖面形状具有朝向蒸镀源方向扩展的形状。
7.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
由所述金属掩膜的缝隙和所述树脂掩膜的开口部形成的开口整体的剖面形状具有朝向蒸镀源方向扩展的台阶状。
8.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述金属掩模的厚度为5μm以上100μm以下。
9.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述树脂掩膜的厚度为3μm以上25μm以下。
10.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，
使用权利要求1～9中任一项所述的蒸镀掩模。
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