[发明专利]基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，其特征是采用如下方法制备的：

以甲基三甲氧基硅烷（methyltrimethoxysilane，MTMOS）和苯基三甲氧基硅烷（phenyltrimethoxysilane，PTMOS）为功能单体，间氨基苯硼酸（m-aminophenylboronicacid，APBA）为掺杂剂，MG为模板分子，四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，TEOS)为交联剂，通过溶胶-凝胶法制备新型硼掺杂MG分子印迹聚合物，并将该印迹聚合物用于修饰碳糊电极，构建检测 MG 的伏安传感器。

2.根据权利要求1所述的基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，其特征是采用如下方法制备的：

第一步、碳糊电极的制备：

将石墨粉和石蜡油按重量比70~95:30~5的比例混合，置于含有无水乙醇的容器中，超声10~40分钟后得一悬浊液；然后在室温或温度不高于60℃的水浴加热情况下，将乙醇蒸发至完全除去，得到均一的碳糊；将碳糊紧密填充入聚丙烯或聚四氟乙烯塑料管中，管子的一端插入导线作为外电路连接点，将另一端端面的碳糊打磨成光滑的镜面，制成碳糊电极，室温储存备用；

第二步、硼掺杂分子印迹聚合物修饰碳糊电极的制备：

按配比将pH 为8.5~11.5的磷酸缓冲液、含10~20 mmol·L^-1间氨基苯硼酸和MG的60%乙醇溶液、PTMOS和MTMOS混合，30~45 ℃搅拌至均匀，最后加入TEOS，30~45 ℃继续搅拌至溶胶形成；各成分的配比为：磷酸缓冲液、含10~20 mmol·L^-1间氨基苯硼酸和9~12 mmol·L^-1MG的60%乙醇溶液、PTMOS、MTMOS和TEOS的体积配比为10~25：100~800：1~2：2~3：2~4；

取上述溶胶0.003 ~0.010 mL 均匀滴涂到碳糊电极表面，室温下静置过夜，同时使溶剂蒸发；再均匀滴涂0.5% Nafion乙醇溶液0.003~0.008 mL，氮气吹干；然后将该电极用有机溶剂反复清洗，直到MG被完全洗除干净，得到硼掺杂分子印迹聚合物修饰碳糊电极；

第三步、基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器的组装：

将第二步制备好的硼掺杂分子印迹聚合物修饰碳糊电极 BMIP-CPE 与具有差分脉冲伏安扫描功能的电化学装置连接，即组装成基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，本发明传感器采用常规三电极系统，BMIP-CPE 作为工作电极。

3.根据权利要求2所述的基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，其特征是制备碳糊电极时，将石墨粉和石蜡油按重量配比混合，重量配比75~90:25~10。

4.根据权利要求2所述的基于印迹识别的孔雀石绿伏安传感器，其特征是制备硼掺杂分子印迹聚合物修饰碳糊电极时，按配比将pH为8.5~11.5的磷酸缓冲液、含10~20mmol·L^-1间氨基苯硼酸和MG的60%乙醇溶液、PTMOS和MTMOS混合，各成分的体积配比12~20：200~600：1.1~1.8：2.2~2.6：2.2~3.2。