[发明专利]像素电路及其驱动方法以及显示装置

说明书

本发明提供一种能防止由复位动作时的泄漏发光引起的对比度降低的像素电路等。所述像素电路具备：发光元件；驱动晶体管，将对应于所施加的电压的电流提供给所述发光元件；电容器部，保持包括所述驱动晶体管的阈值电压和数据电压的电压并将所述电压施加到所述驱动晶体管；以及，开关部，使所述电容器部保持包括所述阈值电压和所述数据电压的电压。所述开关部具有：电流绕道晶体管，使从所述驱动晶体管提供的电流不经过所述发光元件而绕道至参考电压电源线。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2014年10月8日提交的日本专利申请No.2014-206933的优先权的权益，通过引用将该专利申请的公开内容整体引入本申请中。

技术领域

本发明涉及用于有源矩阵有机发光二极管显示器(在下文称为“AMOLED显示器(Active Matrix Organic Light Emitting Diode display)”)等中的像素电路及其驱动方法以及具备该像素电路的显示装置。尽管有机发光二极管也称为有机EL元件，但是在下文中将它称为“OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)”。

背景技术

由于不存在AMOLED显示器的标准像素电路，所以每一个制造AMOLED显示器的公司使用他们的原创设计的像素电路。在下文，将说明基本像素电路。图9A是表示基本像素电路的电路图，图9B是表示其驱动方法的波形图，以及图9C是表示在像素电路中包括的驱动TFT(薄膜晶体管)的输出特性的曲线图。

像素电路900包括开关TFT 901、驱动TFT 902、电容器903和OLED 904，并且它由双晶体管系统进行驱动和控制。开关TFT 901和驱动TFT 902都是p沟道型FET(场效应晶体管)。开关TFT 901的栅极端子连接到扫描线905，并且开关TFT 901的漏极端子连接到数据线906。驱动TFT 902的栅极端子连接到开关TFT 901的源极端子，驱动TFT 902的源极端子连接到电源线907(电源电压VDD)，并且驱动TFT 902的漏极端子连接到OLED 904的阳极端子。此外，电容器903连接在驱动TFT 902的栅极端子和源极端子之间。电源线908(电源电压VSS)连接到OLED 904的阴极端子。

在这种结构中，当选择脉冲(扫描信号Scan)被输出到扫描线905并且开关TFT 901被设置为导通时，经由数据线906提供的数据信号Vdata作为电压值被写到电容器903。通过一帧期间保持被写入电容器903的保持电压，通过该保持电压以模拟方式改变驱动TFT 902的电导，并且相当于发光灰度的正向偏置电流被提供给OLED 904。

通过以这种方式借助恒定电流驱动OLED 904，OLED 904的发光亮度即使在OLED904的电阻值由于退化而改变时也能维持恒定。

在这种类型的像素电路中，为了补偿给OLED提供电流的晶体管的阈值电压的偏差和变动，已知有一种用于检测阈值电压的技术(例如，参见美国未经审查的专利申请公开2013/0169611(专利文献1)和日本未经审查的专利公开2012-128386(专利文献2))。作为阈值电压检测技术，下面两种类型是主流。(1)一种技术(二极管连接型)，通过栅极端子和漏极端子相连，并且使驱动晶体管临时导通，电流在漏极端子和源极端子之间流动，使栅-源电压Vgs自动地接近阈值电压Vth。(2)一种技术(源极跟随器型)，通过固定栅极端子的电位，并且使驱动晶体管临时导通，电流在漏极端子和源极端子之间流动，使栅-源电压Vgs自动地接近阈值电压Vth。源极跟随器型的有利之处在于，即使对于当Vgs＝0V时电流仍流动的沉降型晶体管(depression type transistor)也能检测阈值电压Vth。

然而，在具有阈值电压检测功能的现有像素电路中存在下列问题。