[发明专利]在TEM中对齐无特征薄膜有效

专利信息
申请号: 201510643247.X 申请日: 2015-10-08
公开(公告)号: CN105513932B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: B.比吉塞;G.范杜伊嫩 申请(专利权)人: FEI公司
主分类号: H01J37/26 分类号: H01J37/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 申屠伟进,王传道
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: tem 对齐 特征 薄膜
【权利要求书】:

1.一种在透射电子显微镜(100)中对齐薄膜的方法,所述透射电子显微镜包括:

·电子源(104),用于产生电子射束,

·聚光器系统(106),用于在样本平面上形成平行或几乎平行的电子射束,

·物镜(112),用于将所述平行或几乎平行的射束聚焦在衍射平面上,

·薄膜,定位在衍射平面或衍射平面的共轭平面中,或者靠近衍射平面或衍射平面的共轭平面,所述薄膜是无特征薄膜,

·成像系统(116+118),用于将样本平面或衍射平面的扩大图像形成到图像平面上,

·检测器(124),用于记录形成在图像平面上的图像,

其特征在于

所述方法包括以下步骤:

·用与衍射平面的第一位置相关联的第一激励使聚光器系统聚焦的步骤(202),

·用聚焦的电子射束照射所述薄膜的步骤(206),

·反复地进行以下步骤

∘记录图像的步骤(208),

∘从所述记录的图像导出照射是在面照射还是离面照射的步骤(210),在面照射为当所述薄膜位于衍射平面或衍射平面的共轭平面中时发生,并且离面照射为当所述薄膜位于不与衍射平面或衍射平面的共轭平面重合的平面中时发生,

∘改变至少一个透镜的激励以改变衍射平面或衍射平面的共轭平面的位置,或者沿着光轴改变所述薄膜的位置的步骤(214),

·直到所述照射是在面照射为止。

2.权利要求1所述的方法,其中所述图像是样本平面的图像,并且记录图像包括记录薄膜的伦奇图,并且在面照射是从伦奇图的中心处的无限放大率的发生导出的。

3.权利要求2所述的方法,其中放大率的不对称性被用来检测射束像散。

4.权利要求1所述的方法,其中所述图像是衍射平面的图像,在所述图像中观察到围绕非衍射射束的光晕,所述光晕由受所述薄膜所散射的电子引起,所述光晕的存在指示离面照射并且所述光晕的不存在指示在面照射。

5.权利要求4所述的方法,其中所述光晕的不对称性被用来检测像散。

6.权利要求3或权利要求5所述的方法,其中当检测到像散时,所述像散在记录图像之前用聚光器系统的改变的激励或者所述薄膜的改变的位置进行校正。

7.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中薄膜被加热以避免污染。

8.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述方法还包括:在照射薄膜之前,从样本平面移除可以使射束散射的任何样本或样本区域。

9.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述无特征薄膜是无定形或纳米结晶无特征薄膜。

10.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述薄膜是包括碳、金、铂和/或钯的薄膜。

11.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述方法还包括调整所述薄膜以形成相位板。

12.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中改变至少一个透镜的激励包括改变聚光器系统的激励。

13.权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述薄膜定位在衍射平面的共轭平面中或者靠近衍射平面的共轭平面,并且改变至少一个透镜的激励包括改变衍射平面与所述薄膜之间的透镜的激励。

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