[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线以及一数据线，互相交错设置；

一主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接，该主动元件包括：

一半导体层，其包括一源极区、一漏极区、一通道区、一源极浅掺杂区以及一漏极浅掺杂区，该通道区位于该源极区以及该漏极区之间，该源极浅掺杂区位于该通道区以及该源极区之间，且该漏极浅掺杂区位于该通道区与该漏极区之间；

一绝缘层，覆盖该半导体层；

一栅极，位于该通道区上方的该绝缘层上且与该扫描线电性连接；

一保护层，覆盖该栅极：以及

一源极电极以及一漏极电极，位于该保护层上且分别与该源极区以及该漏极区电性连接，其中该源极电极与该数据线电性连接；

一像素电极，与该漏极电极电性连接；以及

一遮光图案，遮蔽该半导体层的该源极区、该漏极区、该源极浅掺杂区以及该漏极浅掺杂区，其中该遮光图案与该扫描线的其中一侧边重叠设置，且该遮光图案与该扫描线的另一侧边不重叠。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该遮光图案与该扫描线之间具有一重叠区域，且该重叠区域的宽度为该扫描线宽度的50％至100％。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该遮光图案位于该半导体层的下方，且该遮光图案与该半导体层之间还包括一缓冲层。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

该半导体层还包括一连接区以及一浅掺杂区，且该半导体层的该通道区还包括一第一通道区以及一第二通道区，其中该连接区位于该第一通道区以及该第二通道区之间，该浅掺杂区位于该连接区与该第一通道区之间以及该连接区与该第二通道区之间，该源极浅掺杂区位于该源极区以及该第一通道区之间，且该漏极浅掺杂区位于该漏极区以及该第二通道区之间；以及

该栅极包括一第一栅极以及一第二栅极，分别位于该第一通道区以及该第二通道区的上方，其中该第一栅极与该第二栅极连接在一起。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该遮光图案未遮蔽该连接区以及该浅掺杂区。

6.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该遮光图案遮蔽部分的该第一通道区以及部分的该第二通道区。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该源极电极以及该漏极电极分别位于该扫描线的两侧。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，还包括一黑矩阵层，该黑矩阵层包括分别与该扫描线以及该数据线的平行的一第一挡光部以及一第二挡光部，其中该黑矩阵层的该第一挡光部遮蔽该漏极电极且未遮蔽该源极电极。

9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该半导体层为L形图案，而该源极电极以及该漏极电极分别对应设置于L形图案的该半导体层的两端。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该源极电极以及该漏极电极位于该扫描线的同一侧。

11.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，还包括一黑矩阵层，该黑矩阵层包括分别与该扫描线以及该数据线的平行的一第一挡光部以及一第二挡光部，其中该黑矩阵层的该第一挡光部遮蔽该漏极电极且未遮蔽该源极电极。

12.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该半导体层为U形图案，该源极电极以及该漏极电极分别对应设置于U形图案的该半导体层的两端，且U形图案的该半导体层的一弯曲部位于该扫描线的另一侧。

13.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，还包括一黑矩阵层，该黑矩阵层包括分别与该扫描线以及该数据线平行的一第一挡光部以及一第二挡光部，其中该黑矩阵层的该第一挡光部遮蔽该漏极电极且未遮蔽该源极电极，且该黑矩阵层的该第一挡光部与该半导体层的该弯曲部不重叠。

14.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一共用电极，对应该像素电极设置。