[发明专利]InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，包括

器件基片；

沉积在器件基片上的器件绝缘层；

沉积在器件绝缘层上的金属电极膜层；

其特征在于：所述金属电极膜层表面光刻出一条或多条纵横的沟槽将金属电极膜分割成多个互相隔离的区域，还包括至少一根InGaN/GaN多量子阱纳米柱，所述InGaN/GaN多量子阱纳米柱至少包括在蓝宝石衬底上依次生长的n型GaN层，In_xGa_1-xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层，所述沟槽的宽度小于整根InGaN/GaN多量子阱纳米柱的长度，所述InGaN/GaN多量子阱纳米柱横跨于沟槽，两端的n型GaN层和p型GaN层距离两个不同隔离区域的金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触两个不同隔离区域的金属电极膜，且中间的In_xGa_1-xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述In_xGa_1-xN/GaN量子阱有源层的周期数为10～15个，所述x范围：0.12≤x≤0.35，发光波长在430～550nm，p型GaN层的厚度300～500nm，n型GaN层的厚度1.5～3μm。

3.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述InGaN/GaN多量子阱纳米柱的直径为70～500nm，长度为0.8～3.5μm。

4.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述器件基片为具有良好表面平整度的材料，包括硬质材料和柔性材料。

5.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述器件绝缘层为SiO₂层或Si₃C₄层，厚度为50～1000nm。

6.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述金属电极膜层为电子蒸发沉积获得的Ni/Au或Ti/Au双层或多层金属膜，厚度为10～500nm。

7.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，其特征在于：所述二次沉积的金属电极为Pt电极，尺寸为200-500nm×200-500nm，沉积高度为200-500nm。