[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法

权利要求书

1.一种用于干燥包括多个高深宽比结构的衬底的方法，其包括：

在分别使用湿法蚀刻溶液和/或湿法清洗溶液中的至少一种来对所述衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥所述衬底之后：

使用包括支撑材料的溶剂置换在所述多个高深宽比结构之间的流体，

其中，在所述溶剂汽化之后，所述支撑材料从溶液析出且至少部分地填充所述多个高深宽比结构；以及

使所述衬底暴露于使用包括氧化剂并且富含氢的等离子体气体化学品产生的等离子体，以去除所述支撑材料，从而干燥包括所述多个高深宽比结构的所述衬底，而不会引起所述多个高深宽比结构的塌陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体化学品包括以摩尔值计大于50％的分子和/或原子氢。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体化学品包括一种或多种反应物气体，其中以摩尔值计所述一种或多种反应物气体的50％以上是氢。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体化学品包括多种气体aA+bB+cC...，其中，a、b、c、...是摩尔值以及A、B、C、...是气体，并且其中贡献氢的所述多种气体中的至少一种具有摩尔值a、b、c、...中的最高的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中被置换的在所述多个高深宽比结构之间的所述流体包括所述湿法蚀刻溶液和/或所述湿法清洗溶液中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括：用过渡溶剂替换所述湿法蚀刻溶液和/或湿法清洗溶液中的至少一种，并且其中被置换的所述流体包括所述过渡溶剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂选自二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、一氧化硫、二氧化硫、水和含氧烃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包括二氧化碳。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是下游等离子体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中等离子体工艺条件包括使用介于500W-10kW之间的等离子体功率产生的等离子体，0.1乇-3乇的处理室内的真空压强，介于25℃-400℃之间的衬底支架的温度，和500-10000sccm的所述等离子体气体化学品的总气流。

11.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述等离子体产生期间施加衬底偏置。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个高深宽比结构具有大于或等于15的深宽比，所述等离子体气体化学品包括90％至98％的氢气分子和10％至2％的二氧化碳气体的混合物。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个高深宽比结构具有大于或等于8的深宽比。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿法蚀刻和/或湿法清洗中的所述至少一种，所述多个高深宽比结构之间的所述流体的所述置换，和所述多个高深宽比结构的所述暴露发生在单个处理室中。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿法蚀刻和/或湿法清洗中的所述至少一种以及所述多个高深宽比结构之间的所述流体的所述置换发生在旋涂处理室中，而使用等离子体的所述多个高深宽比结构的所述暴露发生在等离子体处理室中。