[发明专利]确定相变存储器的访问信息的方法、装置和系统有效
申请号: | 201510646166.5 | 申请日: | 2011-09-24 |
公开(公告)号: | CN105374392B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | D·C·考;A·法奇欧 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C13/02 | 分类号: | G11C13/02;G11C16/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 相变 存储器 访问 信息 方法 装置 系统 | ||
1.一种用于相变存储器PCM单元的方法,包括:
标识访问所述相变存储器PCM单元的最后读取时间;
标识所述PCM单元的置位阈值电压信息,所述置位阈值电压信息与所述最后读取时间相关联;
标识与所述PCM单元相关联的复位阈值电压漂移;
基于所标识的最后读取时间、置位阈值电压信息和复位阈值电压漂移,确定所述PCM单元的最初读取时间,其中所述最后读取时间和所述最初读取时间定义时间窗,在所述时间窗以外不允许使用第一分界电压访问所述PCM单元,所述第一分界电压用于标识所述相变存储器PCM单元是否处于特定状态;以及
产生指示所确定的最初读取时间的输出信号。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,最初复位阈值电压信息与所述最初读取时间相关联,并且确定所述PCM单元的最初读取时间包括:
将所述PCM单元的最后复位阈值电压信息与所述最后读取时间相关联;
基于所述置位阈值电压信息,确定所述PCM单元的所述最初复位阈值电压信息;
基于所述复位阈值电压漂移以及所述最后复位阈值电压信息和所述最初复位阈值电压信息之间的差异来确定时间差;以及
将所确定的时间差应用于所述最后读取时间以确定所述最初读取时间。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括基于所述PCM单元的所述置位阈值电压信息,确定所述第一分界电压。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
标识在所述最初读取时间之前的第三读取时间;
标识与所述PCM单元相关联的置位阈值电压漂移;
基于所述第三读取时间、所述置位阈值电压漂移和所述置位阈值电压信息,确定在所述时间窗之前的时间窗扩展,其中对于所述时间窗扩展期间对所述PCM单元的任何访问使用第二分界电压。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:
对于一个或多个PCM单元中的每一个,将相应的条目存储在年龄跟踪列表中,所述条目包括指示所述PCM单元和对所述PCM单元的最近访问的时戳的信息;
从所述条目之一的时戳检测所述条目的相应PCM单元的最近访问的年龄大于所述时间窗扩展的大小;以及
响应于所述检测,将所述条目之一从所述年龄跟踪列表中去除。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括:
从所述年龄跟踪列表确定排除在数据刷新循环之外的PCM单元。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述刷新循环包括:
读取一组PCM单元;
从所述一组PCM单元的读取,标识PCM单元子集,其中所述PCM单元子集中的每一个处于复位状态;以及
仅对所述PCM单元子集中的每一个进行写入,以仅再断言所述PCM单元子集的相应复位状态。
8.一种具有存储在其上的指令的计算机可读存储介质,所述指令当由一个或多个处理器执行时使所述一个或多个处理器执行方法,所述方法包括:
标识访问相变存储器PCM单元的最后读取时间;
标识所述PCM单元的置位阈值电压信息,所述置位阈值电压信息与所述最后读取时间相关联;
标识与所述PCM单元相关联的复位阈值电压漂移;
基于所标识的最后读取时间、置位阈值电压信息和复位阈值电压漂移,确定所述PCM单元的最初读取时间,其中所述最后读取时间和所述最初读取时间定义时间窗,在所述时间窗以外不允许使用第一分界电压访问所述PCM单元,所述第一分界电压用于标识所述相变存储器PCM单元是否处于特定状态;以及
产生指示所确定的最初读取时间的输出信号。
9.如权利要求8所述的计算机可读存储介质,其特征在于,最初复位阈值电压信息与所述最初读取时间相关联,并且确定所述PCM单元的最初读取时间包括:
将所述PCM单元的最后复位阈值电压信息与所述最后读取时间相关联;
基于所述置位阈值电压信息,确定所述PCM单元的所述最初复位阈值电压信息;
基于所述复位阈值电压漂移以及所述最后复位阈值电压信息和所述最初复位阈值电压信息之间的差异来确定时间差;以及
将所确定的时间差应用于所述最后读取时间以确定所述最初读取时间。
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