[发明专利]光罩及利用所述光罩进行多芯片同时制备的方法

权利要求书

1.一种光罩，包括至少两个芯片区域，以及位于各个芯片区域之间、用于将芯片区相互隔离开的芯片隔离带；其特征在于，所述芯片隔离带包括第一区和第二区；所述第二区包围所述第一区；所述第一区包括多个间隔设置的第一图形；所述第二区包括第二图形；所述第一图形和第二图形为透光的图形；所述第二图形的边缘与所述芯片区的边缘的间距大于套刻允许误差；所述第二图形的面积小于所述第一图形的面积。

2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一图形为方形，所述第一图形的长度和宽度范围均为1微米～5微米。

3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述第一图形之间的间距为0.3微米～0.5微米。

4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第二图形的边缘与所述芯片区的边缘的间距大于或等于0.15微米。

5.根据权利要求4所述的光罩，其特征在于，所述第二图形为方形且为多个；所述第二图形的长度和宽度范围均为0.3微米-0.5微米。

6.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述芯片区的有源区包括形成于所述有源区中心位置的第三图形，所述第三图形为透光的图形。

7.一种采用权利要求1～6任一所述的光罩进行多种芯片同时制备的方法，包括以下步骤：

提供衬底；

对所述衬底进行光刻和刻蚀形成隔离沟槽；

对所述隔离沟槽进行填充形成浅沟槽隔离结构，且填充物在衬底表面堆积形成隔离层；

利用所述光罩对所述隔离层进行反向光刻和刻蚀，所述第一图形和第二图形区域的隔离层被刻蚀掉；

利用化学机械抛光去除衬底上的隔离层以得到平坦化的半导体衬底；以及

进行芯片区的电路图形的制备。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述隔离沟槽进行填充形成浅沟槽隔离结构，且填充物在衬底表面堆积形成隔离层的步骤为采用高密度等离子体化学气相淀积对所述隔离沟槽进行填充形成浅沟槽隔离结构，且填充物在衬底表面堆积形成隔离层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离层的材质为氧化硅。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤之后、所述对所述衬底进行光刻和刻蚀形成隔离沟槽的步骤之前还包括在所述衬底表面形成氮化硅层的步骤；

所述对所述衬底进行光刻和刻蚀的步骤为对所述衬底、所述氮化硅层进行光刻和刻蚀。