[发明专利]高压LDMOS器件的工艺方法在审
| 申请号： | 201510646849.0 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105336625A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 工艺 方法 | ||
1.一种高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
第1步，在硅衬底上进行离子注入形成埋层；
第2步，在埋层上淀积一层外延层；
第3步，对外延层进行杂质离子注入形成深阱；
第4步，有源区光刻，在深阱表面刻蚀打开浅槽区域刻蚀场氧沟槽，并填充场氧，刻蚀及研磨后形成场氧区；
第5步，光刻打开阱注入区域，注入形成N型阱及P型阱；
第6步，生长栅氧化层，制作多晶硅栅极；
第7步，光刻打开低压NMOS以及NLDMOS的源端部分，进行低压NLDD和N-Halo的离子注入；
第8步，光刻打开低压PMOS以及PLDMOS的源端部分，进行低压PLDD和P-Halo的离子注入；
第9步，淀积二氧化硅，干法刻蚀制作栅极侧墙；
第10步，注入形成源区及漏区；
第11步，通过接触孔工艺，淀积金属形成连接。
2.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第7、8步，源端的LDD和Halo离子注入能与低压CMOS器件的LDD和Halo离子注入同时进行，也能单独实施离子注入。
3.如权利要求2所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：在实施LDMOS的源端LDD和Halo离子注入时，利用光刻胶遮挡部分多晶硅栅极和全部漂移区和漏极部分，利用源端多晶硅栅极自对准进行LDD和Halo离子注入。
4.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第7、8步，Halo注入剂量应比沟道掺杂高一个数量级，以保证降低DIBL。
5.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第7、8步，Halo注入采用15度以上的大角度注入，以保证杂质能够有效进入源端沟道。
6.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述第7、8步，对NLDMOS，Halo注入杂质为硼或铟；对PLDMOS，Halo注入杂质为砷或磷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
