[发明专利]固态摄像元件和摄像设备有效
申请号: | 201510647033.X | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN105280662B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 山川真弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 设备 | ||
1.一种成像装置,其特征在于,包括:
多个光电转换元件,包括第一光电转换元件和第二光电转换元件;
隔离区域,设置在所述第一光电转换元件和第二光电转换元件之间;
阱接触,对阱区域施加预定电压;
第一杂质区域,形成在隔离区域的在阱接触下面的部分中,
其中,
所述隔离区域包括绝缘膜,
第二杂质区域,形成在所述第一杂质区域与所述第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的隔离区域中,
所述第一光电转换元件和第二光电转换元件共享浮置扩散元件、放大晶体管、选择晶体管和复位晶体管,
所述阱接触、选择晶体管和放大晶体管设置在同一行。
2.如权利要求1所述的成像装置,其特征在于,所述阱区域形成在所述第一光电转换元件和第二光电转换元件之间,并且形成在所述阱接触与所述放大晶体管、选择晶体管和复位晶体管之间。
3.如权利要求1或2所述的成像装置,其特征在于,所述第二杂质区域布置为远离所述第一光电转换元件和第二光电转换元件。
4.如权利要求1所述的成像装置,其特征在于,所述阱区域形成在所述阱接触与所述第一光电转换元件和第二光电转换元件之间,并且围绕所述第二杂质区域。
5.如权利要求4所述的成像装置,其特征在于,所述绝缘膜形成为覆盖所述隔离区域。
6.如权利要求1所述的成像装置,其特征在于,所述阱区域在没有形成所述绝缘膜的部分中形成为围绕所述阱接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的