[发明专利]闰年霉素A4晶体及其制备方法

说明书

本发明公开了一种闰年霉素A4晶体、其制备方法及其药用组合物。所述晶体在X‑射线衍射图谱中下述2θ角具有特征峰：7.6°、8.2°、10.2°、14.6°、15.2°、18.9°、20.0°、20.4°±0.2。本发明得到的闰年霉素A4晶体颗粒均匀、稳定性好，便于分装和保存。本发明所提供的闰年霉素A4晶体的制备方法简单，可操作性强，适合工业化生产。

技术领域

本发明涉及一种化合物晶体及其结晶方法及其组合物，更确切的说涉及闰年霉素A4晶体及其制备方法及其组合物。

背景技术

闰年霉素A4是通过指孢囊菌发酵产生的一种18元环结构的新型大环内酯类抗生素，其分子式为C₅₁H₇₂C_l2O₁₈，分子量为1044.04，结构式如式（I）所示，属于窄谱型抗菌化合物，对革兰氏阳性需氧及厌氧菌具有优良的抗菌作用。

（I）

闰年霉素A4与非达霉素具有相同的抗菌谱，活性虽然略低于非达霉素（CN201210032395.4），但与公开的S-Tiacumicin B和C-19酮相比，闰年霉素A4体外对艰难梭菌菌株的活性最好，仍然为较有潜力的用于治疗艰难梭菌感染引起腹泻的化合物。

闰年霉素A4是一类多晶型化合物。同一药物由于晶型类型和纯度的差异，使得药物的物理性质及稳定性存在显著差异，从而对药物的安全、有效性产生影响。

目前，对闰年霉素A4的研究，主要集中在其抗菌活性研究领域，而关于闰年霉素A4的晶体类型及其制备方法，则鲜有人对其进行深入的探讨和研究。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种稳定性好的闰年霉素A4晶体。

本发明的目的之二在于提供前述闰年霉素A4晶体的制备方法。

本发明的目的之三在于提供一种含有闰年霉素A4晶体的药用组合物。

本发明的目的之一是这样实现的：

闰年霉素A4晶体，所述晶体的X射线衍射图谱在下述2θ角具有特征峰：7.6°、8.2°、10.2°、14.6°、15.2°、18.9°、20.0°、20.4°±0.2。

所述的闰年霉素A4晶体， X-射线粉末衍射（XRD）图基本与图1一致。

本发明的目的之二是这样实现的：

闰年霉素A4晶体的制备方法，包括以下步骤：

步骤a）将闰年霉素A4溶于有机溶剂中，在40-50℃温度下搅拌溶解，过滤，得到滤液；

步骤b）在步骤a）所得的滤液中加入纯化水，得到含有结晶的悬浊液；

步骤c）将步骤a）所得的滤液或步骤b）所得的悬浊液降温至-2~10℃，结晶；

步骤d）将上述结晶液过滤、干燥，得到闰年霉素A4晶体。

所述的制备方法，其中步骤a）所述有机溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、乙腈或丙酮中的任意一种，用量为每克闰年霉素A4原粉用5~10ml有机溶剂。

所述的制备方法，其中步骤b）所述纯化水的用量为0.5~2倍滤液体积。

所述的制备方法，其中步骤c）所述晶体的生长时间为10~24小时。

所述的制备方法，其中步骤d）真空干燥指在40～50℃，真空度≥0.08MPa条件下，干燥5~12小时。

本发明的目的之三是这样实现的：