[发明专利]一种用于调光薄膜的导电膜结构在审
| 申请号： | 201510648120.7 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105679416A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 唐炎毅 | 申请（专利权）人： | 唐炎毅 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 吴英彬 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 调光 薄膜 导电 膜结构 | ||
1.一种用于调光薄膜的导电膜结构，其特征在于，包含：
基膜层；
第一透光导电膜层，设置于所述基膜层上，用以降低电阻值，具有第一 光线折射率；以及
第二透光导电膜层，设置于所述第一透光导电膜层上，具有第二光线折 射率；
其中，所述第一透光导电膜层介于所述基膜层以及所述第二透光导电膜 层间，所述第一光线折射率小于所述第二光线折射率。
2.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于，所述第一透光导电膜 层的材料为银及含银量50％以上的合金其中之一。
3.如权利要求2所述的导电膜结构，其特征在于，所述第一透光导电膜 层的厚度介于1nm至30nm之间。
4.如权利要求1所述的导电膜结构，其中，所述第二透光导电膜层的材 质为氧化铟锡(ITO)。
5.如权利要求4所述的导电膜结构，其中，所述第二透光导电膜层的厚 度介于1nm至100nm之间。
6.一种用于调光薄膜的导电膜结构，其特征在于，包含：
基膜层；
第一透光导电膜层，设置于所述基膜层上，具有第一光线折射率；
第二透光导电膜层，设置于所述第一透光导电膜层上，用以降低电阻值， 具有第二光线折射率；以及
第三透光导电膜层，设置于所述第二透光导电膜层上，具有第三光线折 射率；
其中，所述第一透光导电膜层介于所述基膜层以及所述第二透光导电膜 层间，所述第二透光导电膜层介于所述第一透光导电膜层以及所述第三导电 透光膜层间，所述第二光线折射率小于所述第一光线折射率以及所述第三光 线折射率。
7.如权利要求6所述的导电膜结构，其特征在于，所述第一透光导电膜 层的材料为氧化铟锡(ITO)、氮化硅(Si3N4)、五氧化二铌(Nb2O5)及二 氧化钛(TiO2)其中之一。
8.如权利要求6所述的导电膜结构，其中，所述第二透光导电膜层的材 料为银及含银量50％以上的合金其中之一。
9.如权利要求8所述的导电膜结构，其中，所述第二透光导电膜层的厚 度介于1奈米(nm)至30奈米之间。
10.如权利要求6所述的导电膜结构，其中，所述第三透光导电膜层的材 质为氧化铟锡(ITO)。
11.如权利要求10所述的导电膜结构，其中，所述第三透光导电膜层的 厚度介于1奈米(nm)至100奈米之间。
12.一种用于调光薄膜的导电膜结构，其特征在于，包含：
基膜层；
至少二透光导电膜总成，各所述透光导电膜总成包括：
第一透光导电膜层，用以降低电阻值，具有第一光线折射率；以及
第二透光导电膜层，设置于所述第一透光导电膜层上，具有第二光线折 射率；
其中，所述至少二透光导电膜总成以堆栈的方式设置于所述基膜层上， 所述第一光线折射率小于所述第二光线折射率。
13.如权利要求12所述的导电膜结构，其特征在于，所述第一透光导电 膜层的材料为银及含银量50％以上的合金其中之一。
14.如权利要求13所述的导电膜结构，其特征在于，所述第一透光导电 膜层的厚度介于1nm至30nm之间。
15.如权利要求12所述的导电膜结构，其特征在于，所述第二透光导电 膜层的材质为氧化铟锡(ITO)。
16.如权利要求15所述的导电膜结构，其特征在于，所述第二透光导电 膜层的厚度介于1nm至100nm之间。
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