[发明专利]测量曝光机台漏光的光掩膜及方法

说明书

本发明涉及一种测量曝光机台漏光的光掩模及方法，该测量曝光机台漏光的方法先后利用测量曝光机台漏光的光掩模上的第一测试区域和第二测试区域对晶圆进行光刻，且在各图形相对于晶圆待光刻表面形成的投影位置关系中，测试图形分别与外框图形外边缘、内边缘及内框图形内边缘的距离，均小于各从曝光机台同一位置射出的漏光和直射光分别到达晶圆待光刻表面位置之间的距离中的最小值。因此在曝光机台存在漏光的情况下，漏光会使得晶圆上的内框图形标记或外框图形标记发生不规则变化，从而可以通过判断晶圆上显影后的内框图形标记、外框图形标记的中心是否重合，来判断曝光机台是否漏光，测量精度高，还具有测量速度快的优势。

技术领域

本发明涉及集成电路光刻技术领域，特别是涉及一种测量曝光机台漏光的光掩膜及方法。

背景技术

在制造集成电路的光刻工序中，需利用曝光机发出的直射光对晶圆曝光，从而在晶圆上成像以形成集成电路的特征图形。而曝光机由于长期使用或其他原因，当镜面被污染或光路上分布有颗粒时，会产生漫反射或散射，从而出现漏光现象，进而影响光刻的精度。因此，有必要在光刻工序之前检测曝光机台是否漏光。

传统检测曝光机台漏光的方法中，有通过人工在显微镜下直接读取光刻胶显影后的图形来判断是否漏光的方法，但测量精度较低；也有利用扫描电子显微镜测量条宽来判断漏光的方法，但测量速度较慢。

发明内容

基于此，有必要针对传统检测曝光机台漏光方法测量精度低、测量速度慢的问题，提供一种测量速度快且准确度高的测量曝光机台漏光的光掩膜及方法。

一种测量曝光机台漏光的光掩膜，包括面积与晶圆待光刻表面相同的第一测试区域、第二测试区域，其中，所述第一测试区域包括用于光刻且中心重合的内框图形、外框图形；所述第二测试区域包括用于光刻的测试图形；

将所述第一测试区域和第二测试区域分别相对于晶圆待光刻表面对准后，在各图形相对于晶圆待光刻表面形成的投影位置关系中：所述测试图形与内框图形、外框图形处于不同的位置且没有重叠，且所述测试图形分别与外框图形外边缘、内边缘及内框图形内边缘的距离，均小于各从曝光机台同一位置射出的漏光和直射光分别到达晶圆待光刻表面位置之间的距离中的最小值。

在其中一个实施例中，将所述第一测试区域和第二测试区域分别相对于晶圆待光刻表面对准后，在各图形相对于晶圆待光刻表面形成的投影位置关系中：所述测试图形分别与所述外框图形外边缘、内边缘及内框图形内边缘的距离介于0.5至5微米之间。

在其中一个实施例中，所述内框图形包括两条内框横向矩形和两条内框纵向矩形，且所述内框横向矩形与内框纵向矩形垂直并相邻；所述外框图形包括两条外框横向矩形和两条外框纵向矩形，且所述外框横向矩形与外框纵向矩形垂直相邻；所述内框横向矩形、内框纵向矩形的长度分别小于所述外框横向矩形、外框纵向矩形的长度；

所述测试图形包括第一图形、第二图形、第三图形；将所述第一测试区域和第二测试区域分别相对于晶圆待光刻表面对准后，在各图形相对于晶圆待光刻表面形成的投影位置关系中：所述第一图形、第二图形、第三图形分别与所述外框图形外边缘、内边缘及内框图形内边缘的距离，小于各从曝光机台同一位置射出的漏光和直射光分别到达晶圆待光刻表面位置之间的距离中的最小值。

在其中一个实施例中，所述第一图形包括垂直并相邻的第一横向矩形、第一纵向矩形；将所述第一测试区域和第二测试区域分别相对于晶圆待光刻表面对准后，在各图形相对于晶圆待光刻表面形成的投影位置关系中：所述第一横向矩形、第一纵向矩形分别对应平行处于所述外框图形中一对垂直并相邻的外框横向矩形、外框纵向矩形的外侧位置，同时所述第一横向矩形、第一纵向矩形分别与所述垂直并相邻的外框横向矩形、外框纵向矩形外边缘的距离，小于各从曝光机台同一位置射出的漏光和直射光分别到达晶圆待光刻表面位置之间的距离中的最小值。