[发明专利]晶圆测试方法在审
申请号: | 201510648885.0 | 申请日: | 2015-10-09 |
公开(公告)号: | CN105242192A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/303 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 方法 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、进行晶圆外圈和晶圆内圈的划分,所述晶圆内圈为晶圆曝光有效区域,所述晶圆外圈位于所述晶圆内圈外部,位于所述晶圆外圈和所述晶圆内圈之间的呈环带状区域为晶圆曝光无效区域;
步骤二、在晶圆上进行测试单位的第一次排列并形成第一次排列结构,所述第一排列结构的所述测试单位根据所述晶圆的圆心进行对称的排列,相邻的所述测试单位相邻接但不交叠,所述测试单位为探针卡一次测试时所覆盖的区域,所述测试单位中包括多个同测的芯片,所述第一排列结构将所述晶圆上的所有芯片都覆盖;
步骤三、根据晶圆上的测试单位和所述晶圆外圈和所述晶圆内圈的位置关系确定测试单位所处的测试区域块,将和所述晶圆曝光无效区域相交的所述测试单位围绕形成的测试区域块定义为外圈测试区域块,将由所述外圈测试区域块内部的所述测试单位组成的测试区域块定义为内圈测试区域块;
步骤四、将所述外圈测试区域块的至少部分所述测试单位向所述晶圆内圈内部方向移动,使得所述外圈测试区域块的所述测试单位和所述晶圆曝光无效区域相交的芯片减少,以减少所述晶圆曝光无效区域的不成形芯片对测试的不利影响从而提高测试稳定性。
2.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中移动后的所述外圈测试区域块中的所述测试单位和相邻的所述内圈测试区域块的所述测试单位部分重叠。
3.如权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中所述外圈测试区域块中所有的所述测试单位都向所述晶圆内圈内部方向移动。
4.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中所述外圈测试区域块的至少部分所述测试单位向所述晶圆内圈内部方向移动后,根据移动后的所述外圈测试区域块的所述测试单位的位置对所述内圈测试区域块的所述测试单位进行移动以及对和所述外圈测试区域块中向内移动的所述测试单位相对称的另一侧的所述外圈测试区域块中的所述测试单位进行移动,使得所述内圈测试区域块的所述测试单位和所述外圈测试区域块的所述测试单位相邻接但不相交叠。
5.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:所述测试单位最外侧的轮廓呈矩形结构。
6.如权利要求5所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中沿和所述测试单位的矩形结构的边平行或垂直的方向对所述外圈测试区域块中的所述测试单位进行移动。
7.如权利要求2或3所述的晶圆测试方法,其特征在于:所述测试单位最外侧的轮廓呈矩形结构。
8.如权利要求7所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中沿和所述测试单位的矩形结构的边平行或垂直的方向对所述外圈测试区域块中的所述测试单位进行移动。
9.如权利要求4所述的晶圆测试方法,其特征在于:所述测试单位最外侧的轮廓呈矩形结构。
10.如权利要求9所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中沿和所述测试单位的矩形结构的边平行或垂直的方向对所述外圈测试区域块中的所述测试单位进行移动。
11.如权利要求9所述的晶圆测试方法,其特征在于:对所述内圈测试区域块的所述测试单位进行移动以及对和所述外圈测试区域块中向内移动的所述测试单位相对称的另一侧的所述外圈测试区域块中的所述测试单位进行移动的方向和步骤四中对应向内移动的所述外圈测试区域块中的所述测试单位的移动方向相同。
12.如权利要求1或2或3或4或5或6或9或10或11所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中将所述外圈测试区域块的至少部分所述测试单位向所述晶圆内圈内部方向移动的距离要求保证移动的所述测试单位的离所述晶圆的圆心最远一侧的芯片至少有一个位于所述晶圆内圈中。
13.如权利要求7所述的晶圆测试方法,其特征在于:步骤四中将所述外圈测试区域块的至少部分所述测试单位向所述晶圆内圈内部方向移动的距离要求保证移动的所述测试单位的离所述晶圆的圆心最远一侧的芯片至少有一个位于所述晶圆内圈中。
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