[发明专利]一种蓝绿发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201510649958.8 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105304782A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;卓祥景;方天足;陈亮 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蓝绿 发光二极管 芯片 | ||
1.一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。
2.如权利要求1所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：n电极与多级复合接触层之间形成阶梯式的多个电流扩展效果不同的接触面。
3.如权利要求1所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：n区为在衬底上生成非故意掺杂层，非故意掺杂层上生成第一n型导电层，第一n型导电层上生成第一电流阻挡层，第一电流阻挡层上生成第一n型接触层，第一n型接触层上生成第二电流阻挡层，第二电流阻挡层上生成第二n型接触层，第二n型接触层上生成第三电流阻挡层，第三电流阻挡层上生成与有源区连接的第二n型导电层。
4.如权利要求3所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：第一n型接触层、第二n型接触层、第二n型导电层的n型掺杂浓度不同，且掺杂浓度符合第一n型接触层远大于第二n型接触层，第二n型接触层远大于第二n型导电层。
5.如权利要求3所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、第三电流阻挡层构成材料包含AlGaN三五族化合物。
6.如权利要求3所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：第二n型接触层和第二n型导电层的厚度都小于50nm；第一电流阻挡层、第二电流阻挡层和第三电流阻挡层都小于10nm。
7.如权利要求1所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：p区为与有源区连接的限制层，限制层上生成p型导电层，p型导电层上生成p型接触层，p型接触层上生成ITO导电层，p电极设置在ITO导电层上。
8.如权利要求1所述的一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：n电极与有源区和p区之间设置电极隔离层。
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