[发明专利]一种用于晶圆级封装的密闭结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，在基底晶圆上制造半导体器件，并在 基底晶圆上的各个半导体器件外围以光刻胶形成环形的墙体，还在墙体上方接合有光刻胶或 玻璃材质的屋顶，所述基底晶圆、墙体和屋顶构成密闭结构将各个半导体器件包围在内。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述密闭结构具有 气密性，内部为真空或者填充气体。

3.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述基底晶圆切割 后得到基底芯片单元，基底芯片单元倒装到封装基板上，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所 述密闭结构之外，且电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。

4.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，所述基底晶圆切割后得到基底 芯片单元，基底芯片单元与封装基板之间采用正装方式，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所 述密闭结构之内或之外，且通过贯穿基底晶圆的接触孔电极引至基底晶圆另一侧表面的焊垫 或焊垫凸起，再电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。

5.一种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上制造完 成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫；然后在基底晶圆上形成光刻胶 材料的墙体，墙体呈环状包围在每个半导体器件的外围；半导体器件的焊垫在墙体之外；然 后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶；然后将 盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋顶连为一体并在每个半导体器件的外围形 成一个密闭结构；半导体器件的焊垫在该密闭结构之外；然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆； 然后在基底晶圆上每个半导体器件的焊垫之上生长焊垫凸块；然后将基底晶圆切割得到每个 半导体器件的芯片；然后将半导体器件的芯片倒装至封装基板上，芯片上的焊垫凸起与封装 基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体；最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以 封装，再对封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。

6.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，墙体和 屋顶均为负性光刻胶。

7.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，形成屋 顶后再采用光刻和/或刻蚀工艺去除屋顶的多余部分，以使剩余的屋顶大致相当于墙体的外 缘尺寸。

8.一种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上刻蚀通 孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆上制造完成半导体器件， 半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方；然后在基底晶圆上形成光刻胶材料的墙体，墙体 呈环状包围在每个半导体器件的外围；然后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层 上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶；然后将盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋 顶连为一体并在每个半导体器件的外围形成一个密闭结构；然后在通孔中形成与半导体器件 的焊垫具有电性连接的接触孔电极；然后在基底晶圆底面形成与接触孔电极具有电性连接的 焊垫凸起；然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆；然后将基底晶圆切割得到每个半导体器件的 芯片；然后将半导体器件的芯片正装至封装基板上，芯片底面的焊垫凸起与封装基板上的焊 垫或焊垫凸起通过焊接连为一体；最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以封装，再对 封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。

9.根据权利要求8所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，将“首 先在基底晶圆上刻蚀通孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆 上制造完成半导体器件，半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方”改为“首先在基底晶圆 上制造完成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫；然后在基底晶圆上刻 蚀通孔，通孔底部为半导体器件的焊垫”。

10.根据权利要求8或9所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，所述半导体器 件的焊垫在墙体之内，同时也在密闭结构之内；

或者，所述半导体器件的焊垫在墙体之外，同时也在密闭结构之外。