[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

技术领域

示例性实施例涉及一种薄膜晶体管阵列面板和一种用于制造该薄膜晶体 管阵列面板的方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(TFT)在诸如液晶显示器或有机发光显示器等的平 板显示器中用作独立地驱动每个像素的开关元件。薄膜晶体管阵列面板可以 包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极、向薄膜晶体管传输栅极信 号的栅极线和向薄膜晶体管传输数据信号的数据线等。

薄膜晶体管包括连接到栅极线以接收栅极信号的栅电极、形成在栅电极 上的半导体层、形成在半导体层上且连接到数据线以接收数据信号的源电极 以及被形成为与源电极分开且连接到像素电极的漏电极。在这种情况下，栅 极线、栅电极、数据线、源电极和漏电极等可以由金属布线形成。

为了提高分辨率，已经进行了可以提高薄膜晶体管阵列面板上每单位面 积的像素集成度的研究，并且为了高速处理图像信号，已经展开了关于使用 电子迁移率高的氧化物半导体或电阻更低的铜布线的研究。

在这种情况下，为了通过使用低电阻铜布线实现高分辨率显示器，可以 形成厚的铜布线。在这种情况下，一旦形成了厚的铜布线，则包括可形成在 铜布线上的源电极和漏电极的其他金属布线可因为可能由铜布线的厚度导致 的台阶而断开。这会导致其他布线的裂纹。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理 解，因此以上信息可能包含不构成对于本领域普通技术人员而言在该国家已 经知晓的现有技术的信息。

发明内容

示例性实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板和一种防止形成在低电阻布 线上的其他布线断开的制造薄膜晶体管阵列面板的方法。

附加方面将在下面的详细描述中阐述，并且部分地将通过本公开而明了， 或者可以通过本发明构思的实践而获知。

根据示例性实施例，薄膜晶体管阵列面板包括：第一栅极绝缘层，设置 在基底上并包括暴露基底的一部分的栅极开口；栅电极，设置在栅极开口中； 第二栅极绝缘层，设置在第一栅极绝缘层和栅电极上；半导体层，形成在第 二栅极绝缘层上；源电极和漏电极，被设置为在半导体层上彼此分开；钝化 层，设置在第二栅极绝缘层、源电极和漏电极上；以及像素电极，设置在钝 化层上并连接到漏电极，其中，栅电极具有呈倒锥形状的侧面。

栅电极可以由铜制成。

栅电极可以具有1μm或更大的厚度。

第二栅极绝缘层可以具有平坦的上表面。

第一栅极绝缘层和栅电极可以具有相同的厚度。

第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层可以由相同的材料制成。

栅电极的上表面可以位于第一栅极绝缘层的上表面之上或下方。

根据示例性实施例，用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括以下步骤： 在基底上形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层中形成暴露基底的一部分 的栅极开口；在栅极开口中形成栅电极；在第一栅极绝缘层和栅电极上形成 第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成彼 此分开的源电极和漏电极；在第二栅极绝缘层、源电极和漏电极上形成钝化 层；以及在钝化层上形成连接到漏电极的像素电极。

形成栅极开口的步骤可以包括以下步骤：在第一栅极绝缘层上顺序地形 成第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层；通过对第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层进行 曝光和显影，在第一抗蚀剂层中形成第一抗蚀剂开口并在第二抗蚀剂层中形 成第二抗蚀剂开口；以及利用第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层作为掩模来蚀刻 第一栅极绝缘层。

第一抗蚀剂开口可以暴露第一栅极绝缘层的一部分，并可以形成在第二 抗蚀剂开口下方。

第一抗蚀剂开口可以比第二抗蚀剂开口宽。

第一抗蚀剂层可以不具有光敏性而可以具有对显影剂的可溶性，第二抗 蚀剂层可以具有光敏性并可以具有对显影剂的可溶性。

形成栅电极的步骤可以包括以下步骤：在第二抗蚀剂层和由栅极开口暴 露的基底上形成栅极金属层；以及通过剥离工艺去除第一抗蚀剂层、第二抗 蚀剂层和形成在第二抗蚀剂层上的栅极金属层。

形成栅极开口的步骤可以包括以下步骤：在第一栅极绝缘层上形成包括 第三抗蚀剂开口的第三抗蚀剂层；以及利用第三抗蚀剂层作为掩模来蚀刻第 一栅极绝缘层。