[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理方法

权利要求书

1.一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅；

b)将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅；

c)将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤a)中所述清洗的温度为5℃～20℃，时间为1min～10min。

3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤a)还包括：

将清洗后的黑硅原料进行水洗，得到待处理的黑硅。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液和氨水溶液中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述碱性溶液的质量浓度为1％～35％。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述反应的温度为5℃～25℃，时间为1min～10min。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述水洗的温度为5℃～80℃，时间为1min～10min。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤c)中所述酸处理的过程具体为：

将处理后的黑硅浸渍在酸溶液中进行酸洗，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结构。

9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸溶液为氢氟酸、盐酸和水的混合酸溶液。

10.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸洗的温度为5℃～20℃，时间为1min～10min。