[发明专利]用于CPM后清除配方的新抗氧化剂

权利要求书

1.一种清除组合物，其包含至少一种溶剂、至少一种缓蚀剂、至少一种季碱和至少一种有机胺，其中缓蚀剂包括选自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、α-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮杂菲/抗坏血酸、甘氨酸/抗坏血酸、烟酰胺及其衍生物、黄酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黄酮醇/花青素及其组合中的物质，其中清除组合物对于从其上带有残留物的微电子装置上除去所述残留物是有效的。

2.权利要求1的清除组合物，其中缓蚀剂包括选自腺苷及其衍生物的至少一种物质。

3.权利要求1或2的清除组合物，其中清除组合物还包含选自至少一种络合剂、至少一种表面活性剂、至少一种还原剂、以及其组合中的至少一种附加成分。

4.权利要求3的清除组合物，其中所述至少一种络合剂包括选自下列的物质：乙酸、丙酮肟、丙烯酸、己二酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、甜菜碱、二甲基乙二肟、甲酸、富马酸、葡萄糖酸、谷氨酸、谷氨酰胺、戊二酸、甘油酸、甘油、乙醇酸、乙醛酸、组氨酸、亚氨基二乙酸、间苯二甲酸、衣康酸、乳酸、亮氨酸、赖氨酸、马来酸、马来酸酐、苹果酸、丙二酸、苯乙醇酸、2,4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、邻苯二甲酸、脯氨酸、丙酸、焦儿茶酚、苯四酸、奎宁酸、丝氨酸、山梨糖醇、琥珀酸、酒石酸、对苯二甲酸、偏苯三酸、均苯三酸、酪氨酸、缬氨酸、木糖醇、其盐和衍生物及其组合，

其中所述至少一种表面活性剂包括两性盐、阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、氟代烷基表面活性剂、非离子表面活性剂及其组合；和

其中所述至少一种还原剂包括选自抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、没食子酸、乙二醛及其组合中的物质。

5.权利要求1或2的清除组合物，其中溶剂包括水。

6.权利要求1或2的清除组合物，其中残留物包括CMP后残留物、蚀刻后残留物、灰化后残留物或其组合，其中CMP后残留物包括选自下列的材料：来自CMP抛光浆料的颗粒、CMP抛光浆料中存在的化学物质、CMP抛光浆料的反应副产物、富碳的颗粒、抛光垫颗粒、刷子减载颗粒、结构颗粒的设备材料、铜、氧化铜及其组合。

7.权利要求1或2的清除组合物，其中组合物被稀释至大约5：1至大约200：1的范围内。

8.权利要求1或2的清除组合物，其中在从微电子装置上除去残留物材料之前，组合物基本上不含氧化剂、氟化物源和/或磨料。

9.权利要求1或2的清除组合物，其还包含至少一种附加缓蚀剂，其中至少一种附加缓蚀剂包括选自下列的物质：抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、苯并三唑、柠檬酸、乙二胺、没食子酸、草酸、单宁酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、尿酸、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫羟基-苯并三唑、卤代苯并三唑(卤素＝F、Cl、Br或I)、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-亚戊基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巯基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并异二唑、苯甲酸、苯甲酸铵、儿茶酚、焦棓酚、间苯二酚、氢醌、氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物如1,2-二甲基巴比妥酸、α-酮酸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、膦酸及其衍生物、甘氨酸/抗坏血酸及其组合。