[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理液及处理方法在审
| 申请号： | 201510651827.3 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105274626A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 优化 表面 结构 处理 方法 | ||
1.一种用于优化黑硅表面结构的处理液，其特征在于，包括以下组分：
刻蚀剂1重量份；
缓冲剂1重量份～15重量份；
氧化剂1重量份～15重量份；
水20重量份～400重量份；
所述刻蚀剂为氢氟酸。
2.根据权利要求1所述的处理液，其特征在于，所述缓冲剂包括氟化铵、氟化钠和氟化钾中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的处理液，其特征在于，所述氧化剂包括H2O2、O3和HNO3中的一种或多种。
4.一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用权利要求1～3任一项所述的处理液，将待处理的黑硅进行表面处理，得到优化后的黑硅表面结构。
5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述表面处理的过程具体为：
将待处理的黑硅浸渍在所述处理液中进行反应，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结构。
6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述反应的温度为20℃～50℃，时间为1min～10min。
7.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述水洗的温度为5℃～80℃，时间为1min～10min。
8.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述进行表面处理后，还包括：
将表面处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构；
所述酸处理的过程具体为：
将表面处理后的黑硅浸渍在酸溶液中进行酸洗，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结构。
9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸洗的温度为5℃～20℃，时间为1min～10min。
10.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述进行表面处理前，还包括：
将黑硅原料进行预清洗，得到待处理的黑硅；
所述预清洗的过程具体为：
将黑硅原料浸渍在清洗液中进行清洗，再经水洗，得到待处理的黑硅。
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