[发明专利]准平面调配器在审
申请号: | 201510652064.4 | 申请日: | 2015-10-10 |
公开(公告)号: | CN105206907A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 王清源 | 申请(专利权)人: | 成都赛纳赛德科技有限公司 |
主分类号: | H01P3/00 | 分类号: | H01P3/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 调配 | ||
1.准平面调配器,其特征在于,包括轴线沿Z方向的主传输线(1),与主传输线(1)连通的至少一对支节结构;一对支节结构包括1个支节A(2)和1个支节B(3);其中属于同一对支节结构的支节A(2)和支节B(3)分别为横截面形状不同的两种传输线,或支节A(2)的横截面与支节B(3)的横截面在至少一个方向上对应尺寸相差大于或等于20%;每一个支节A(2)远离主传输线(1)的一端连接一个短路金属体A(2A);每一个支节B(3)远离主传输线(1)的一端连接一个短路金属体B(3A);在所述支节B(3)的底部设置有轴线与该支节B(3)轴线平行的柱状金属体(3B),该柱状金属体(3B)只在支节B(3)的底部与支节B(3)的内表面连接。
2.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,属于同一对支节结构的支节A(2)和支节B(3)分别位于主传输线(1)的两侧。
3.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,属于同一对支节结构的支节A(2)和支节B(3)分别与主传输线(1)连接处横截面的中心点分别为点A和点B,沿Z方向,点A到点B的距离为R1,主传输线(1)在垂直于Z方向的横截面的最大高度或宽度为R2,R1小于或等于R2的20%。
4.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,所述主传输线(1)为矩形波导,其垂直于Z方向的横截面的高度大于其宽度。
5.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,所述支节A(2)为矩形波导,其轴线位于XZ水平面内并平行于X方向, 其垂直于X方向的横截面的高度大于其宽度。
6.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,所述支节B(3)为脊波导,其轴线位于XZ水平面内并平行于X方向,其垂直于X方向的横截面的高度小于所述主传输线(1)的垂直于Z方向的横截面的最大高度的2/3;所述支节B(3)横截面中心处的电场方向沿Y方向。
7.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,所述短路金属体A(2A)和短路金属体B(3A)为位置可以改变的短路活塞;所述短路金属体A(2A)在支节A(2)中的位置可以从本准平面调配器外加以改变;所述短路金属体B(3A)在支节B(3)中的位置可以从本准平面调配器外加以改变;所有短路金属体A(2A)与短路金属体B(3A)的移动方向都位于XZ水平面内。
8.根据权利要求1所述的准平面调配器,其特征在于,短路金属体A(2A)和短路金属体B(3A)为电磁参数可以从外界加以调整的位置固定的微波结构;任意一个所述支节A(2)从主传输线(1)向位于该支节A(2)上的短路金属体A(2A)方向上的反射系数可以从外界加以调节;任意一个所述支节B(3) 从主传输线(1)向位于该支节B(3)上的短路金属体B(3A)方向上的反射系数可以从外界加以调节。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的准平面调配器,其特征在于,主传输线(1)、所有支节A(2)和所有支节B(3)的上表面都齐平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都赛纳赛德科技有限公司,未经成都赛纳赛德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510652064.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氧化锆陶瓷转接套管
- 下一篇:折叠型半模基片集成波导宽带带通滤波器