[发明专利]阵列基板和包含其的液晶显示器在审
申请号: | 201510652234.9 | 申请日: | 2015-10-10 |
公开(公告)号: | CN105355630A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 王聪;杜鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 张少辉;刘华联 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 包含 液晶显示器 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种阵列基板和包含其的液晶显示器。
背景技术
在低温多晶硅面板设计制造中,如果阵列基板侧膜面凹凸不平,则会引起液晶显示器的液晶配向不良等问题。
在现有技术中,通常是增加用于隔绝公共电极与源级/漏极之间的绝缘层的厚度,以起到平坦化的作用,从而增强液晶的配向效果。但是,由于此绝缘层与其它膜层相比较,厚度较大,则在导通薄膜晶体管的源级/漏极与像素电极时,需将此绝缘层进行挖孔设计。由于此绝缘层采用的是高分子材料,且挖孔较深,在制程上,容易使得绝缘层与其接触的膜层之间的分离,从而造成像素电极与源级或漏极之间接触不良,甚至是断线,最终影响液晶显示器的正常显示效果。这就要求要减小此绝缘层的厚度,以降低接触不良的风险。但是如果降低绝缘层的厚度势必又会影响此绝缘层的填平度,造成液晶配向不良。
由此,需要提供一种新型的既不影响绝缘层的填平度也能改善像素电极与源极/漏极间的接触不良的问题的阵列基板。
发明内容
针对现有技术中所存在的上述技术问题,本发明提出了一种阵列基板和包含其的液晶显示器。该阵列基板在保证绝缘层的填平度以满足液晶配向的要求的同时,也能改善像素电极与源极/漏极间的接触不良的问题,以提高液晶显示器的显示效果。
根据本发明的一方面,提出了一种阵列基板,包括具有薄膜晶体管区域和过孔区域的像素单元,像素单元包括从下至上依次堆叠的玻璃基板、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层,在薄膜晶体管区域中,玻璃基板上设置能被第一绝缘层覆盖的遮光金属件,第一绝缘层上设有能被第二绝缘层覆盖的有源层,有源层的两端分别与形成在第三绝缘层与第四绝缘层之间的源极和漏极相连,在第二绝缘层上设置能被第三绝缘层覆盖的栅极,在第四绝缘层上设置能被第五绝缘层覆盖的公共电极,在通孔区域中,在第五绝缘层上设置像素电极,并且在第四绝缘层上设置通孔以使像素电极穿过第五绝缘层与源极或漏极连接,其中,在通孔的下方绝缘式设置有垫层。
在一个实施例中,垫层为金属层,并且在通孔的下方设置至少一层与遮光金属件、有源层或栅极相对应的金属层。
在一个实施例中,在通孔的下方设置三层分别与遮光金属件、有源层和栅极相对应的金属层。
在一个实施例中,金属层与其所对应的遮光金属件、有源层或栅极在同一工序下制造形成。
在一个实施例中,通孔的内壁构造为阶梯状,并且第五绝缘层和像素电极均构造为能与阶梯状的通孔匹配。
在一个实施例中,阶梯状的通孔的齿均匀分布。
在一个实施例中,通过曝光工艺形成通孔,并且用于形成通孔的光刻掩膜上的透光率在由中间向四周方向上逐渐减小。
在一个实施例中,通孔的锥度角构造为45-50度。
在一个实施例中,通过曝光工艺形成通孔,并且用于形成通孔的光刻掩膜上具有开孔,开孔的壁构造为齿状。
根据本发明的另一反面,提出了一种液晶显示器,其包括上述的阵列基板。
与现有技术相比,本发明的优点在于,通过在通孔的下端设置垫层,以增加通孔的下方的层的厚度,从而在维持第四绝缘层不便的情况下,通孔的深度会相对减小,也由此能有效地降低或防止像素电极与源极或漏极之间的接触不良甚至是断线的风险,并有助于提高液晶显示器的显示良率。
附图说明
下面将结合附图来对本发明的优选实施例进行详细地描述,在图中:
图1显示了根据本发明的实施例的阵列基板;
图2显示了根据本发明的第一实施例的像素单元;
图3显示了根据本发明的第二实施例的像素单元;
图4显示了根据本发明的第三实施例的像素单元;
图5显示了根据本发明的第一实施例的掩膜;
图6显示了根据本发明的第二实施例的掩膜;
图7显示了根据本发明的第三实施例的掩膜;
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记,附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明做进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的