[发明专利]一种硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器

权利要求书

1.一种硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，包括衬底，其特征在于：在所衬底上设有多个输入波导、多个输出波导、总线波导、多个槽式微环和多个混合等离子体微环；在输入端，每个输入波导分别通过一个槽式微环或混合等离子体微环将输入信号复用至总线波导进行混合复用传输；在输出端，总线波导中混合复用后传输的信号分别经一个槽式微环或混合等离子体微环解复用至每个输出波导；输入端与输出端的槽式微环的数量相同，输入端与输出端的混合等离子体微环的数量相同。

2.根据权利要求1所述的硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，其特征在于：所述的槽式微环包括两个近靠的纳米环；所述的混合等离子体微环包括由下而上的介质环、低折射率填充环和金属覆盖环。

3.根据权利要求1所述的硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，其特征在于：所述总线波导为单个总线波导。

4.根据权利要求2所述的硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，其特征在于：所述槽式微环中两个纳米环之间的间距为80nm～120nm。

5.根据权利要求2所述的硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，其特征在于：所述混合等离子体微环中的介质环为硅材料制成的，介质环的厚度为220nm；低折射率填充环为二氧化硅或氮化硅材料制成的，低折射率填充环的厚度为20nm～50nm；金属覆盖环为银、铝或者铜材料制成的，金属覆盖环的厚度为100nm～200nm。

6.根据权利要求1所述的硅基片上波长与偏振混合复用/解复用器，其特征在于：所述槽式微环的外半径为3.0μm～3.5μm，混合等离子体微环的外半径为2.0μm～2.3μm。