[发明专利]一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法

权利要求书

1.一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置，其特征在于：包括离子阱导电条和离子阱绝缘层，所述的离子阱导电条嵌入在电子枪的水冷阳极座上的凹槽内，处于电子枪内的电子束出口B段；在所述的离子阱导电条和所述凹槽之间设置离子阱绝缘层；离子阱导电条与直流电源负极连接，对地电压为-20V～-60V；当入射蒸气到达电子束出口B段时，与灯丝发射出的电子束相互作用，部分蒸气电离成带正电荷的离子，将在离子阱导电条的吸引作用下附着到离子阱导电条表面。

2.根据权利要求1所述的一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置，其特征在于：离子阱导电条由无氧铜或不锈钢材料加工制成长条形，长度方向与电子束出口B段长度尺寸保持一致，厚度为3～5mm。

3.根据权利要求1所述的一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置，其特征在于：离子阱绝缘层由尼龙、聚四氟乙烯、聚醚醚酮、ABS塑料或氧化铝陶瓷材料加工制成，离子阱绝缘层厚度不低于2mm。

4.一种带有降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置的电子枪装置，包括栅极、灯丝、阳极、水冷阳极座、线圈座、磁偏转线圈，经灯丝发射出的热电子在栅极的聚焦作用下，依次沿着阳极的电子束出口A段、水冷阳极座的电子束出口B段及线圈座和磁偏转线圈所包围的电子束出口C段引出，形成电子束；其特征在于：水冷阳极座上加工出凹槽，离子阱导电条通过紧配合嵌入到水冷阳极座的凹槽内，并在离子阱导电条与所述凹槽之间设置离子阱绝缘层；所述的离子阱导电条和离子阱绝缘层组成离子阱装置，所述的离子阱装置工作在真空环境下，用于吸附离化蒸气；所述离子阱导电条与直流电源负极连接，对地电压为-20V～-60V。

5.一种降低直型电子枪阴极污染的方法，其特征在于：当蒸发材料蒸气在真空室压差作用下从主真空室进入到电子枪室并向阴极部件运动时，与电子束流碰撞并发生部分电离，离化蒸气将被离子阱装置吸附；所述的离子阱装置包括离子阱导电条和离子阱绝缘层，所述的离子阱导电条设置在电子枪装置中的水冷阳极座上电子束出口B段，安装在所述水冷阳极座的凹槽内，并通过设置离子阱绝缘层实现离子阱导电条和水冷阳极座之间的绝缘。