[发明专利]一种氧化铝粉体的制备方法和氧化铝粉体在审

专利信息
申请号: 201510656825.3 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN105347378A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 范秀丽;刘江华;刘冠华 申请(专利权)人: 刘冠华
主分类号: C01F7/42 分类号: C01F7/42
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 王宇杨;陈琳琳
地址: 青海省西宁市城*** 国省代码: 青海;63
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化铝 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于无机材料制备领域,具体涉及一种氧化铝粉体的制备方法和氧化铝粉体。

背景技术

近年来,随着我国节能照明技术的逐渐成熟,节能灯应用逐渐多起来,市场前景广阔。荧光粉是节能灯中最为关键的发光材料,市场需求量大。

高纯氧化铝在荧光粉中的作用有两方面,一方面高纯氧化铝是制备铝酸盐系荧光粉的主要原材料之一,另一方面与荧光粉混合涂覆于灯管上,可以起到反射透过荧光粉层的紫外光,使其继续激发荧光粉,提高了荧光灯的发光效率;为汞扩散的阻挡层,可将汞的用量降到最低限度,能够延长灯的使用寿命;作为粘结剂能够提高荧光粉和玻璃管之间的粘结强度,使荧光粉不脱落。

发明内容

为了克服现有技术中制备氧化铝粉体存在的缺陷,本发明提供了一种应用于荧光粉的高纯超细氧化铝粉体的制备方法,并公开了依据相应的制备方法制备获得了氧化铝粉体。

本发明提供的氧化铝粉体的制备方法,包括:

原料铝熔化后得到的熔融态铝雾化后喷射到水中生成氢氧化铝,再经过陈化、过滤、干燥、煅烧、气流粉碎获得氧化铝粉体,所述雾化使用的气体为惰性气体或氮气。

优选的,所述原料铝的纯度不低于99.99%。

优选的,所述熔融铝的温度不低于800摄氏度。

优选的,所述水的温度为90-100摄氏度。

优选的,所述熔融铝在雾化后被粉碎至粒度大小为2~10um的微粒。

优选的,所述陈化为在反应结束后80~100℃温度下陈化2~3h。

更优选的,所述陈化的温度为100摄氏度。

优选的,所述干燥为将过滤得到的滤饼在100~150℃进行真空干燥得到氢氧化铝粉末。

优选的,所述煅烧的温度为1150-1200℃,煅烧时间为120~180min。

优选的,所述气流粉碎采用的是流化床式气流粉碎分级。

本发明还提供了依据上述方法制备获得的氧化铝粉体。

优选的,所述氧化铝粉体纯度不低于99.99%,粒度D50≤2.0μm,D100≤8.0μm,比表面积为2~6㎡/g。

本发明所述的方法具有以下优点:

1、以纯度不低于99.99%的废电子铝箔和纯水为原料,具有生产成本低、绿色环保、安全可靠的优点;

2、工艺流程短、操作简单;

3、产品粒度分布窄而集中,适用于荧光粉应用要求。

具体实施方式

本发明依据如下的方法制备活性氧化铝粉。

1)先将纯度不低于99.99%的废电子铝箔在不低于800℃下熔化;

2)将熔融态的铝雾化得到小液滴;

3)熔融态的铝雾化成小液滴的同时,瞬间喷射到纯水中,与纯水发生化学反应生成氢氧化铝;

4)在80~100℃温度下陈化2h,使反应完全;

5)对氢氧化铝混合物采用过滤进行固液分离得到滤饼,滤液加以回收利用;

6)将步骤5)所得滤饼在100~150℃进行真空干燥得到氢氧化铝粉末;

7)将步骤6)所得氢氧化铝粉末装在坩埚中置于高温电炉中于1150~1200℃下煅烧120-180min得到高纯氧化铝粉;

8)将步骤7)所得高纯氧化铝粉经流化床式气流粉碎机粉碎分级得到目标产物,即为应用于荧光粉的高纯超细氧化铝粉体。

实施例1:

将100kg纯度为99.99%的废电子铝箔放于中频感应炉中在800℃下全部熔化,然后在高压下经过雾化器雾化成极小液滴,并同时直接喷射到纯水中;雾化的极小液滴在水的冷却水作用下瞬间变成极小的颗粒,具有很高的活性,并与纯水发生化学反应,生成氢氧化铝的同时释放氢气;然后将氢氧化铝混合物经过离心机过滤得到氢氧化铝滤饼,滤液加以回收再利用;接着,将氢氧化铝滤饼在真空烘箱中于100℃下烘干得到氢氧化铝干粉;然后,将氢氧化铝干粉装在刚玉坩埚中,在高温电炉中于1150℃下煅烧3h获得高纯的α-氧化铝粉体;最后,将高纯氧化铝粉体在流化床式气流粉碎机下粉碎分级得到目标产品,即应用于荧光粉的高纯超细氧化铝,其纯度为99.99%,粒度D50为1.340μm,比表面积为3.56㎡/g。

实施例2:

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