[发明专利]利用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法

权利要求书

1.一种用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法，其特征在于，步骤如下：

(1)以松木为原料，将松木置于非氧化性气氛烧结炉中烧结，烧结温度不低于500℃，升温速率不高于3℃/min，制得具有松木结构的多孔碳；

(2)将多孔碳在硝酸银溶液中浸渍，溶液浓度为0.1mol/L，浸渍时间为1～2小时，浸渍后将多孔碳取出干燥；

(3)将干燥后的多孔碳放在无氧气氛加热炉中烧结，烧结温度为450～550℃，获得具有松木结构的多孔银；

(4)用氢氟酸、双氧水和水的混合液作腐蚀剂，并用腐蚀剂浸没单晶硅；

(5)将具有松木结构的多孔银压在单晶硅平面上，使之充分接触，接触时间为19～21分钟；

(6)将腐蚀后的单晶硅表面浸入氟硅烷和异丙醇混合液中浸泡大于4天，氟硅烷和异丙醇体积比为1:4～1:8，随后取出干燥，便制得硅基超疏水表面。

2.如权利要求1所述的用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法，其特征在于，步骤1中，所述的松木为白松木或水杉木；所述的非氧化性气氛烧结炉为木材碳化炉、连续抽真空加热炉、氩气保护烧结炉或氮气保护烧结炉；所述的烧结温度为500～800℃；所述的升温速率为1～2℃/min。

3.如权利要求1所述的用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法，其特征在于，步骤3中，所述的无氧气氛加热炉为连续抽真空加热炉、氩气保护加热炉或氮气保护加热炉。

4.如权利要求1所述的用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法，其特征在于，步骤4中，混合液中氢氟酸、双氧水、水的体积比为6:2:2。

5.如权利要求1所述的用松木结构多孔银作催化剂腐蚀制备硅基超疏水表面的方法，其特征在于，步骤6中，所述的氟硅烷和异丙醇体积比为1:6；所述的浸泡时间为4～15天。