[发明专利]MIM电容及其形成方法

权利要求书

1.一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成电容介电层；

在所述电容介电层上形成第二导电层；

在所述第二导电层上形成覆盖层；

去除部分区域的所述覆盖层及第二导电层以形成开口；

在所述开口及开口外的所述覆盖层上形成介电层并平坦化所述介电层，位于所述覆盖层上的介电层的厚度为12000埃～50000埃，所述覆盖层的厚度与所述覆盖层上的介电层的厚度的比值为1:5～1:10；

在所述介电层上进行刻蚀，形成暴露所述第一导电层的第一接触孔与暴露所述第二导电层的第二接触孔，所述第二接触孔的数量为多个，所述多个第二接触孔是并联关系，且对所述介电层的刻蚀速率大于对所述覆盖层的刻蚀速率，对所述介电层的刻蚀速率与对所述覆盖层的刻蚀速率的比值为5:1～8:1，形成第二接触孔的过刻蚀量为10％～15％。

2.根据权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，在所述介电层上进行刻蚀的工艺为各向异性干刻工艺。

3.根据权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

4.根据权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的工艺为等离子体化学气相沉积工艺。

5.根据权利要求4所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，当所述覆盖层的材料为氮化硅时，所述等离子体化学气相沉积工艺的具体参数为：采用的气体为SiH₄、NH₃和N₂，SiH₄的流量为800sccm～1000sccm，NH₃的流量为800sccm～1000sccm，N₂的流量为5000sccm～10000sccm，源射频功率为1500瓦～2000瓦，偏置射频功率为300瓦～500瓦，腔室压强为2torr～10torr，温度为300摄氏度～500摄氏度。

6.根据权利要求1所述的MIM电容的形成方法，其特征在于，所述介电层的材料为低K或超低K材料。

7.根据权利要求1至6任意一项形成的MIM电容，其特征在于，包括：

基底；

第一导电层，位于所述基底上；

电容介电层，位于所述第一导电层上；

第二导电层，位于所述电容介电层上，且第二导电层的面积小于第一导电层的面积；

覆盖层，覆盖所述第二导电层；

介电层，位于所述覆盖层和电容介电层上且所述介电层顶部表面各处齐平，位于所述覆盖层上的介电层的厚度为12000埃～50000埃，所述覆盖层的厚度与所述覆盖层上的介电层的厚度的比值为1:5～1:10；

第一接触孔，位于所述介电层中，且暴露所述第一导电层；

第二接触孔，位于所述介电层中，且暴露所述第二导电层，所述第二接触孔的数量为多个，所述多个第二接触孔是并联关系。