[发明专利]基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法有效
申请号: | 201510657533.1 | 申请日: | 2015-10-13 |
公开(公告)号: | CN105242189B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 刘宾礼;罗毅飞;肖飞;汪波;夏燕飞;陶涛;熊又星;王钰 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军海军工程大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 马辉 |
地址: | 430033 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 集射极 饱和 焊料 空洞 igbt 健康 状态 监测 方法 | ||
本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域,具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后,投入使用之前,在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值;器件投入使用后,定期测试IGBT器件的集射极饱和压降和焊料层空洞率并记录测量值;将测量值与初始值进行比较,根据比较结果判断IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率是否达到失效标准;当集射极饱和压降与焊料层空洞率未达到IGBT器件失效标准时测试值带入仿真模型中,计算出IGBT器件的疲劳老化进程与剩余寿命;当达到IGBT器件失效标准时,判定为器件失效并对IGBT器件进行更换。本发明直接用于IGBT器件的健康状态监测与可靠性评估。
技术领域
本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域,具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。
背景技术
为满足国民经济发展中节能减排、低碳环保、开发绿色新能源的迫切需求,以及实现国防建设中武器装备跨越式发展的重大目标,采用各种电力电子装置对电能的产生、输送、使用进行高效变换与控制,已成为弱电智能控制强电运行,信息技术与先进制造技术相融合,传统产业实现自动化、智能化、节能化,以及海军舰船综合电力系统和新型武器系统中不可缺少的环节。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为全控型电力电子器件的典型代表,已广泛应用于各种中、大功率电能变换装置。IGBT通常工作于PWM调制脉冲方式下,模块结温在连续脉冲反复作用下将会不断累积上升,经过一个逐步上升过程,最后进入周期性近似等幅波动状态,此时IGBT产生的功率损耗与散热装置的功率耗散能力之间达到平衡,结温近似保持恒定。当IGBT停止工作,或是负载、散热条件发生较大变化时,这种热平衡都将被打破,温度也将随之发生变化,直至进入新的平衡工作点或是冷却至环境温度。对于一般连续工作的电力电子装置,启动一段时间后,会保持相对稳定的持续工作状态,IGBT温度波动较小。然而,随着电力电子装置在风力发电、高速电力机车、以及海军舰船综合电力系统的储能模块、区域配电模块、新型高性能武器等场合的应用日益增多,IGBT逐渐广泛应用于城市轻轨、地铁、高铁,以及某些高性能电磁武器,如轨道炮等反复加速减速、启动停止的电能变换场合。在这些装置中,一方面IGBT的工作电压、电流等级高,产生的功耗使模块平均工作结温升高,另一方面由于反复加热、冷却,IGBT结温波动显著,通常平均结温在60~80℃,温度梯度在70~90℃左右,甚至更高。目前,大功率IGBT一般采用模块化封装结构,IGBT芯片通过铜层、焊料层、DBC陶瓷层等多层结构焊接在底板上。IGBT产生的功耗主要通过热传导方式垂直向下传递,最后被安装于底板的散热装置带走,在芯片与底板间由高到低形成一定的温度梯度分布。由于不同材料的热膨胀系数不同,在重复加热与冷却过程中IGBT模块各层材料受到热机械应力的反复冲击,达到材料的疲劳极限后会引起器件失效,严重时,将导致整个装置彻底崩溃。
IGBT器件疲劳失效,是指随着器件运行时间的累积,芯片和封装材料逐渐产生疲劳,可靠性逐渐下降,最终导致器件疲劳失效,IGBT器件疲劳失效模式包括芯片疲劳失效和封装疲劳失效。封装疲劳失效是指在电热应力作用下IGBT封装材料产生疲劳,随着封装疲劳程度的加剧,模块电气性能和现象表征发生变异,主要包括集射极饱和压降与焊料层空洞率逐渐增大,直至器件失效。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术的缺陷,提供一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法,可直接用于IGBT器件的健康状态监测与可靠性评估。
本发明提供了一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法,包括下列步骤:
A.安装调试完毕后,投入使用之前,在一定条件下测试经检测合格的IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率,分别标记为初始值VST和PST;
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