[发明专利]一种薄壳山核桃高压育苗的方法

权利要求书

1.一种薄壳山核桃高压育苗的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)高温催芽：选取饱满的薄壳山核桃种子，杀虫杀菌处理后浸种20～28h，浸种后将表面水分晒干，然后进行层积处理，于每年2月初在塑料大棚中进行高温催芽，温度为20～25℃；

2)断根移栽：每年3月底，将芽苗物理断根后移栽到13cm×20cm的黑色聚丙烯塑料营养钵中；

3)大田定位：每年4月底～5月初，将薄壳山核桃容器苗定植于大田中，株行距为30cm×40cm，定植后浇透水，此后每隔15天浇一次透水；

4)高压：8月下旬～9月中旬，在距地面10-15cm的地方进行环剥，环剥深度到木质部，宽度为2-3mm，然后用400～700ppm的NAA进行涂抹，涂抹后进行套袋，袋中装有基质，保持土壤含水量在60％，所述基质配方为泥炭：珍珠岩：蛭石：田园土质量比为3～5:2～4:1:2～5；

5)定植：次年春天，在环剥以下处剪断，然后去掉塑料袋，定植于大田中，然后进行正常的肥水管理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤2)中所选的黑色聚丙烯塑料营养钵是指营养钵底部以上5cm处的周围均匀分布着4～6个直径为0.3～0.8cm的小孔的黑色聚丙烯塑料营养钵。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤3)中浇水的方法是采用漫灌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)中高压的时间是在9月上旬。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)中环剥的高度是10cm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)中环剥的宽度是2.5mm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)中NAA的浓度是500ppm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤4)中所述基质配方为泥炭：珍珠岩：蛭石：田园土质量比为3:3:1:3。