[发明专利]显示器及其制造方法、制造装置、显示方法、可穿戴设备有效
申请号: | 201510657900.8 | 申请日: | 2015-10-13 |
公开(公告)号: | CN105226078B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 王志东;于静;龙跃 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 及其 制造 方法 装置 显示 穿戴 设备 | ||
1.一种显示器,其特征在于,所述显示器包括:
第一衬底基板;
所述第一衬底基板上形成有低温多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有开关控制电路;
形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列,所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、位于所述第一下电极和所述第二下电极之间的支撑柱,以及位于所述支撑柱上的上电极;
所述开关控制电路用于:在所述显示器需要进行图像显示时,对所述上电极和所述第一下电极施加第一异性电压,同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第二下电极施加电压,使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置;或者,通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加所述第一异性电压,同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第一同性电压,使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置;
形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有所述发光结构。
2.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述显示器还包括:
形成有所述发光结构的第一衬底基板上形成有第二衬底基板。
3.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,
所述支撑柱由多晶硅,二氧化硅或铝制成。
4.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,
所述发光结构为电致发光结构。
5.一种显示器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有开关控制电路;
在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列,所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、位于所述第一下电极和所述第二下电极之间的支撑柱,以及位于所述支撑柱上的上电极;所述开关控制电路用于:在所述显示器需要进行图像显示时,对所述上电极和所述第一下电极施加第一异性电压,同时通过所述开关控制电路禁止对所述上电极和所述第二下电极施加电压,使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置;或者,通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第一下电极施加所述第一异性电压,同时通过所述开关控制电路对所述上电极和所述第二下电极施加第一同性电压,使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置;
在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
6.一种显示器的制造装置,其特征在于,所述制造装置包括:
背板形成单元,用于在第一衬底基板上形成低温多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有开关控制电路;
微镜阵列形成单元,用于在形成有所述LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成微机电系统MEMS微镜阵列,所述MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光,所述开关控制电路用于控制所述MEMS微镜阵列的开启和关闭;
发光结构形成单元,用于在形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成所述发光结构。
7.一种显示器的显示方法,其特征在于,所述显示器为权利要求1至4任一所述的显示器,所述显示器包括形成有低温多晶硅LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有微机电系统MEMS微镜阵列,形成有所述MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成有发光结构,所述LTPS背板形成有开关控制电路,所述MEMS微镜阵列包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极,所述显示方法包括:
在需要进行图像显示时,通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压,使所述上电极旋转至能够反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置;
在不需要进行图像显示时,通过所述开关控制电路控制所述上电极、所述第一下电极和所述第二下电极的电压,使所述上电极旋转至无法反射所述显示区域的发光结构发出的光的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的