[发明专利]真空环境下实现晶体温度调控的大口径晶体倍频转换装置有效

专利信息
申请号: 201510658591.6 申请日: 2015-10-12
公开(公告)号: CN105244750B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 卢礼华;张鹏;向勇;于福利;孙付仲 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;G02F1/35;G02F2/02;H01S3/04
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 孟宪会
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 大口径 倍频 内箱 转换装置 分水槽 温度调控 真空环境 回水槽 进水槽 并列设置 连通 均匀性问题 加热装置 高通量 外侧壁 温度面 激光 转换 加工
【说明书】:

真空环境下实现晶体温度调控的大口径晶体倍频转换装置,它涉及大口径晶体倍频转换装置,具体涉及真空环境下实现晶体温度调控的大口径晶体倍频转换装置。本发明为解决现有的加热装置无法实现大口径晶体精确温度控制并能保持晶体具有较高温度面均匀性问题。所述第一箱体包括第一内箱和第一外箱,第一外箱套装在第一内箱外,第一内箱的外表面上加工有第一进水槽、第一回水槽和多条第一分水槽,第一进水槽和第一回水槽沿着第一内箱的长度方向并列设置,多条第一分水槽围绕第一内箱的外侧壁并列设置,每条第一分水槽的一端与第一进水槽连通,每条第一分水槽的另一端与第一回水槽连通。本发明用于实现高通量大口径激光的倍频转换。

技术领域

本发明涉及大口径晶体倍频转换装置,具体涉及真空环境下实现晶体温度调控的大口径晶体倍频转换装置。

背景技术

倍频转换技术是获得某一特定波长激光的重要方法,主要通过晶体如KDP、DKDP、ADP等的倍频效应来得到高频率、高能量的激光,由于晶体具有较高的温度敏感度,在较小的温度变化下就能大幅度降低晶体的倍频效率,因此对晶体需要进行高精度的温度控制。但目前在大口径晶体倍频机构使用过程中,无法有效控制大口径晶体的温度,而这一问题亟待解决。同时,在高能量激光的倍频转换技术中,90°非临界相位匹配技术因为其具有较大的有效非线性光学系数、较小的相位匹配角灵敏度、没有光学走离和利用率高等优势而得到越来越多的应用,而90°非临界相位匹配技术的主要实现条件就是保证晶体工作在某一确定的温度条件下。目前,针对小晶体的温度控制技术比较成熟,装置也已经商品化,但是,如前所述,由于对大口径晶体的温度控制精度控制提出了越来越高的要求,而现有的加热装置无法实现大口径晶体精确温度控制并能保持晶体具有较高温度面均匀性问题。

发明内容

本发明为解决现有的加热装置无法实现大口径晶体精确温度控制并能保持晶体具有较高温度面均匀性问题,进而提出真空环境下实现晶体温度调控的大口径晶体倍频转换装置。

本发明为解决上述问题采取的技术方案是:本发明所述大口径晶体倍频转换装置包括本体、水流控制阀、进水管道、恒温水箱、回水管道、真空管、真空机、大口径晶体倍频机构和多个水管接头,所述本体包括第一端盖、第一箱体、第二箱体和第二端盖,第一箱体的一端与第一端盖密封连接,第一箱体的另一端与第二箱体的一端可拆卸连接,第二箱体的另一端设置有第二端盖,大口径晶体倍频机构设置在第一箱体和第二箱体之间,所述第一箱体包括第一内箱和第一外箱,第一外箱套装在第一内箱外,第一内箱的外表面上加工有第一进水槽、第一回水槽和多条第一分水槽,第一进水槽和第一回水槽沿着第一内箱的长度方向并列设置,多条第一分水槽围绕第一内箱的外侧壁并列设置,每条第一分水槽的一端与第一进水槽连通,每条第一分水槽的另一端与第一回水槽连通,所述第一外箱上对应第一进水槽处加工有第一进水口,第一进水槽与第一进水口连通,第一外箱上对应第一回水槽处加工有第一回水口,第一回水槽与第一回水口连通;

第二箱体的结构与第一箱体的结构相同,第二箱体的外侧壁上分别设置有第二进水口和第二回水口,第二箱体的外侧壁上还设置有密封端盖,密封端盖的外侧壁上设置有第三进水口和第三回水口,进水管道分别与第一进水口、第二进水口和第三进水口连接,回水管道分别与第一回水口、第二回水口和第三回水口连接,进水管道上设置有水流控制阀和水管接头,回水管道上设置有多个水管接头,进水管道和回水管道均与恒温水箱连通,第一箱体的外侧壁上设置有真空口,真空机通过真空管与真空口连接。

本发明的有益效果是:本发明具有安全易操作的优点,采用在真空环境下,通过控制恒温水箱内水的温度来控制大口径晶体的温度,恒温水箱内水的温度通常控制在10℃-40℃之间,控制方式比较简单,同时真空环境可防止空气的对流换热而导致的大口径晶体温度的变化,可以控制大口径晶体达到所需的温度,本体在保证大口径晶体所需的温度的同时又可以通过大光束激光。

本发明控制精度高,可以控制大尺寸晶体表面温度的面均匀性为0.2℃以内,实现大口径倍频晶体的高精度温度控制,保证大口径倍频晶体的倍频转换效率。操作安全可靠。

附图说明

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