[发明专利]一种OLED显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201510659257.2 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN105206651B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种OLED显示面板及其制作方法,其中,该OLED显示面板包括基板、以及设置在所述基板上的隔离层和多个像素单元,所述多个像素单元由所述隔离层隔开,所述隔离层为负性光阻且设有多个对所述隔离层曝光显影得到的开口,所述开口用于置放所述像素单元的发光层,且所述开口四周的隔离层与所述基板之间设有可透光的光增强层,以使在所述曝光显影时所述开口四周的隔离层的靠近所述基板一侧的光强增强,得到顶部宽于底部的所述开口。通过上述方式,能够提高OLED发光层的制作效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
目前,有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)显示面板逐步成为显示领域的主流力量。现有的OLED显示面板制作工艺中,通常采用喷墨打印技术制成其OLED发光层。一般,OLED显示面板包括像素单元和用于将像素单元分隔的隔离(bank)层,该隔离层为负性光阻。在制作过程中,在基板上设置隔离层,并对隔离层进行曝光得到多个开口图案,在开口中喷入OLED发光材料,以形成像素单元的发光层。
然而,由于在曝光的时,隔离层上部接触曝光能量大于底部,曝光出来的开口图案极易形成如图1所示的顶部窄底部宽结构。而在后续喷墨打印制程中,由于开口顶部窄,OLED发光材料则不易进入该开口,导致OLED发光层的制作效率低下。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及其制作方法,能够提高OLED发光层的制作效率。
本申请第一方面提供一种OLED显示面板,包括基板、以及设置在所述基板上的隔离bank层和多个像素单元,所述多个像素单元由所述隔离层隔开,每个所述像素单元包括阴极、阳极及夹置在所述阴极和阳极之间的发光层,所述隔离层为负性光阻且设有多个对所述隔离层曝光显影得到的开口,所述开口用于置放所述像素单元的发光层,且所述开口四周的隔离层与所述基板之间设有可透光的光增强层,以使在所述曝光显影时所述开口四周的隔离层的靠近所述基板一侧的光强增强,得到顶部宽于底部的所述开口;其中,所述光增强层上表面中部至所述隔离层上表面的距离小于所述光增强层上表面边缘至所述隔离层上表面的距离。
其中,所述光增强层由半反射半透明材料或增亮膜构成。
其中,所述光增强层延伸至所述开口底部对应的区域,所述光增强层的延伸部分全部或者部分覆盖所述开口底部对应的区域。
其中,所述像素单元的阳极包括ITO电极,所述ITO电极设置在所述开口底部,且所述ITO电极的两端设置在所述隔离层中,所述光增强层设置在所述ITO电极与所述基板之间。
其中,所述发光层由喷墨打印制得。
本申请第二方面提供一种OLED显示面板的制作方法,包括:在基板的第一区域形成可透光的光增强层和多个像素单元的阳极;在所述基板上涂布为负性光阻的隔离bank层,并对所述隔离层进行曝光、显影得到多个顶部宽于底部的开口,其中,所述第一区域为所述开口四周的区域,所述光增强层上表面中部至所述隔离层上表面的距离小于所述光增强层上表面边缘至所述隔离层上表面的距离;在所述多个开口中分别设置所述像素单元的发光层;在所述开口顶部形成所述像素单元的阴极,其中,所述像素单元的发光层与所述像素单元的阳极和阴极电接触。
其中,所述光增强层由半反射半透明材料或增亮膜构成。
其中,所述光增强层延伸至所述开口底部对应的区域,所述光增强层的延伸部分全部或者部分覆盖所述开口底部对应的区域。
其中,所述像素单元的阳极包括金属电极和ITO电极;所述在基板的第一区域形成可透光的光增强层和像素单元的阳极的步骤包括:在基板的第一区域形成所述金属电极;在所述金属电极上涂布所述光增强层;在所述光增强层上形成ITO电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的