[发明专利]一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种直接沉积于读出电路上的光电探测器，其特征在于：包括两组电极接触导体（3）；

第一组电极接触导体（3）一一对应沉积于读出电路的各个像素单元（1）的上表面；

第二组电极接触导体（3）一一对应沉积于读出电路的各个平面金属界面环（2）的上表面；

第一组电极接触导体（3）的上表面沉积有底部载流子传输增强膜层（4）；

底部载流子传输增强膜层（4）的上表面沉积有活性胶体量子点膜层（5）；

活性胶体量子点膜层（5）的上表面沉积有顶部载流子传输增强膜层（6）；

顶部载流子传输增强膜层（6）的上表面和第二组电极接触导体（3）的上表面共同覆盖有公共上电极层（7）。

2.根据权利要求1所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器，其特征在于：底部载流子传输增强膜层（4）、顶部载流子传输增强膜层（6）均采用富勒烯制成。

3.根据权利要求1所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器，其特征在于：活性胶体量子点膜层（5）采用硫化铅或碲化铅或碲化汞制成。

4.根据权利要求1所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器，其特征在于：活性胶体量子点膜层（5）可采用同一材料制成，或者可分为若干组，不同组活性胶体量子点膜层（5）各自采用不同材料制成。

5.一种直接沉积于读出电路上的光电探测器的制备方法，该方法用于制备如权利要求1所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：

a.选取读出电路，该读出电路具有若干个像素单元（1）和若干个平面金属界面环（2）；

b.在读出电路的各个像素单元（1）的上表面一一对应沉积第一组电极接触导体（3）；在读出电路的各个平面金属界面环（2）的上表面一一对应沉积第二组电极接触导体（3）；

c.在第一组电极接触导体（3）的上表面沉积底部载流子传输增强膜层（4）；

d.在底部载流子传输增强膜层（4）的上表面沉积活性胶体量子点膜层（5）；

e.在活性胶体量子点膜层（5）的上表面沉积顶部载流子传输增强膜层（6）；

f.在顶部载流子传输增强膜层（6）的上表面和第二组电极接触导体（3）的上表面共同覆盖公共上电极层（7）。

6.根据权利要求5所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤c、e中，底部载流子传输增强膜层（4）、顶部载流子传输增强膜层（6）均采用富勒烯制成。

7.根据权利要求5所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤d中，活性胶体量子点膜层（5）采用硫化铅或碲化铅或碲化汞制成。

8.根据权利要求5所述的一种直接沉积于读出电路上的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤d中，活性胶体量子点膜层（5）可采用同一材料制成，或者可分为若干组，不同组活性胶体量子点膜层（5）各自采用不同材料制成。