[发明专利]一种光学邻近效应修正模型的优化方法有效
申请号: | 201510662390.3 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN105223771B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 江志兴;王伟斌;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;H01L21/00 |
代理公司: | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人: | 俞涤炯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 邻近 效应 修正 模型 优化 方法 | ||
1.一种光学邻近效应修正模型的优化方法,其特征在于,包括:
S1:从初始的光学邻近效应修正模型和模型测试图形中选出焦距敏感图形;
S2:对所述焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟,获得所述焦距敏感图形光阻高度数据;
S3:使用所述高度数据和扫描电子显微镜量测临界尺寸优化光学邻近效应修正光学模型和光学邻近效应修正光阻模型;
所述优化光学邻近效应修正光学模型的特征包括:
不同图形使用不同的光阻高度数据,对于焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟获得其光阻高度,其它图形使用工艺中实际光阻厚度即不考虑光阻顶层损失;
引入一个核函数来卷积垂直方向的光强,用来表征垂直扩散,其独立于横向扩散,与特定边界条件有关,这个特定边界条件可以用来表征来自显影的光阻损失;
优化的目标值除了最小化临界尺寸模拟均方差还有光阻高度模拟均方差。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选出焦距敏感图形的方法包括:
S1:调整初始的光学邻近效应修正光学模型的光束焦距来拟合光刻机的散焦,至少要5个实际焦平面数据且其范围为1.1~1.2倍工艺窗口需要的焦深,光阻模型使用一个简单的常阈值模型;
S2:拟合使用的设计图形为符合最小设计规则的孤立线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焦距敏感图形的模拟焦深小于1.1倍工艺窗口需要的焦深。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光学邻近效应修正光学模型的特征还包括:
与严谨的光阻仿真器模型相匹配的模拟精度,计算速度能满足整个版图设计的光学邻近修正和验证需求。
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