[发明专利]一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法

权利要求书

1.一种多重图形化掩膜层的结构，其特征在于，所述掩膜层包括，

硬质掩膜，处于基板上方；

侧墙，由牺牲层沉积并刻蚀形成，整体呈尖状，内部平尖而外部圆滑。

2.根据权利要求1所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述硬质掩膜的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述牺牲层的材料为：氧化硅、或氮化硅、或氮氧化硅、或非晶碳、或氮化硼、或氮化钛。

4.根据权利要求1所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述侧墙的材料为：氧化硅、或氮化硅、或氮氧化硅、或非晶碳、或氮化硼、或氮化钛。

5.根据权利要求1所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述侧墙个数大于或等于2，第一侧墙的高度大于第二侧墙的高度，且所述第一侧墙与所述第二侧墙底部齐平。

6.根据权利要求6所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述第一侧墙的宽度大于20A，厚度为所述第一侧墙和所述第二侧墙宽度总和的1/4至1/2。

7.一种多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，包括，

步骤S1：放置基板、硬质掩膜及牺牲层

步骤S2：沉积硬质掩膜和牺牲层

步骤S3：通过照相/刻蚀对牺牲层进行图形化处理

步骤S4：沉积薄膜并刻蚀形成第一侧墙

步骤S5：沉积薄膜并刻蚀形成第二侧墙

步骤S6：移除牺牲层

步骤S7：用刻蚀修改侧墙的形貌

8.根据权利要求8所述的多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，于所述步骤S4中，在刻蚀硬质掩膜的同时修改侧墙的形貌，其中要求第一侧墙的刻蚀速率大于第二侧墙。

9.根据权利要求8所述的多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，于所述步骤S7中，用独立的刻蚀步骤修改侧墙的形貌，其中要求第一侧墙的刻蚀速率大于第二侧墙。

10.一种多重图形化掩膜层的结构，其特征在于，所述掩膜层包括，

硬质掩膜，处于基板上方；

侧墙，由牺牲层沉积并刻蚀形成，整体呈尖状，内部平尖而外部圆滑。

11.根据权利要求10所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述硬质掩膜的材料为氮化硅。

12.根据权利要求10所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述牺牲层的材料为：氧化硅、或氮化硅、或氮氧化硅、或非晶碳、或氮化硼、或氮化钛。

13.根据权利要求10所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述侧墙的材料为：氧化硅、或氮化硅、或氮氧化硅、或非晶碳、或氮化硼、或氮化钛。

14.根据权利要求10所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，所述牺牲层层数大于或等于2。

15.根据权利要求10所述的多重图形化掩膜层，其特征在于，第二牺牲层的厚度大于20A，厚度为第一侧墙和第二侧墙宽度总和的1/4至1/2，所述第二侧墙呈直角形，所述第一侧墙被半包围于所述第二侧墙内。

16.一种多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，包括，

步骤S1：放置底板、硬质掩膜及牺牲层

步骤S2：沉积硬质掩膜和第一牺牲层

步骤S3：通过照相/刻蚀对第一牺牲层进行图形化处理

步骤S4：对第二牺牲层和第三牺牲层进行沉积

步骤S5：沉积薄膜并刻蚀形成第一侧墙

步骤S6：沉积薄膜并刻蚀形成第二侧墙

步骤S7：移除牺牲层

步骤S8：用刻蚀修改侧墙的形貌

17.根据权利要求8所述的多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，于所述步骤S5中，在刻蚀硬质掩膜的同时修改侧墙的形貌，其中要求第一侧墙的刻蚀速率大于第二侧墙。

18.根据权利要求8所述的多重图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，于所述步骤S8中，用独立的刻蚀步骤修改侧墙的形貌，其中要求第一侧墙的刻蚀速率大于第二侧墙。