[发明专利]一种炉管测量触发点警报设定方法在审
申请号: | 201510663045.1 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN105336647A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 魏巍;俞玮;裴雷洪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 炉管 测量 触发 警报 设定 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,尤其涉及一种炉管测量触发点警报设定方法。
背景技术
目前炉管Indyplus/Formula机型的测量(Gauge)触发点只是在安装机台的时候检测一次,之后就没有检测机制来监控和有效管理Gauge触发点。鉴于Gauge触发点在实际生产过程中作用非常关键,炉管测量触发点的警报设定非常重要。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种炉管测量触发点警报设定方法,利用互锁单元对炉管进行控制及监控,实现自动报警监控Gauge触发点偏移的问题。这样就实现自动监控,提前预防报废风险,方便管理,安全生产的效果。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:
一种炉管测量触发点警报设定方法,其中,包括:
利用一互锁单元对所述炉管进行互锁控制;
当所述炉管的测量触发点达到临界值时,发出警报,以监控测量触发点偏移。
优选地,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述炉管为Indyplu机型的炉管。
优选地,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述炉管为Formula机型的炉管。
优选地,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述临界值为炉管正常工作的临界值。
优选地,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述互锁单元由一控制单元形成。
优选地,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述控制单元包括一softwareinterlock编译装置,通过所述softwareinterlock编译装置实现互锁。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:本发明提供的一种炉管测量触发点警报设定方法,利用softwareinterlock编译装置,通过所述softwareinterlock编译装置实现互锁,实现自动报警监控Gauge触发点偏移的问题。这样就实现自动监控,提前预防报废风险,方便管理,安全生产的效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明的炉管测量触发点警报设定方法示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的炉管测量触发点警报设定方法作详细说明。
如图1所示,本发明的一种炉管测量触发点警报设定方法,主要包括:利用互锁单元对炉管进行监控,,利用softwareinterlock编译装置,通过所述softwareinterlock编译装置实现互锁,实现自动报警监控Gauge触发点偏移的问题。这样就实现自动监控,提前预防报废风险,方便管理,安全生产的效果。
作为进一步优选实施方案,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述炉管为Indyplu机型的炉管。
作为进一步优选实施方案,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述炉管为Formula机型的炉管。通常Indyplu机型的炉管或Formula机型的炉管均可以设置有互锁单元,即Indyplu机型的炉管或Formula机型的炉管即可以独立于互锁单元存在,也可以内部直接设置有互锁单元。
作为进一步优选实施方案,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述临界值为炉管正常工作的临界值。临界值可以根据不同的场合设定不同的临界值,此处不做具体限制。
作为进一步优选实施方案,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述互锁单元由一控制单元形成。作为进一步优选实施方案,上述的炉管测量触发点警报设定方法,其中,所述控制单元包括一softwareinterlock编译装置,通过所述softwareinterlock编译装置实现互锁。
综上所述,本发明提供了一种炉管测量触发点警报设定方法,利用Indyplus/Formula机型内部的softwareinterlock语句,编写softwareinterlock语句,实现自动报警监控Gauge触发点偏移的问题。这样就实现自动监控,提前预防报废风险,方便管理,安全生产的效果。
本领域技术人员应该理解,本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例,在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容,在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造