[发明专利]一种FinFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510663157.7 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105226099B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一FinFET衬底，并于所述FinFET衬底之上制备源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的鳍形结构；
覆盖一氧化物层于所述鳍形结构的外表面及所述FinFET衬底的上表面，并覆盖一氮化物层于所述氧化物层的上表面；
去除所述鳍形结构两侧的氧化物层形成第一开口和第二开口；
于所述第一开口和所述第二开口进行掺杂外延生长工艺；
依次去除氮化物层、部分厚度的氧化物层及部分鳍形结构，形成悬空于所述FinFET衬底之上的沟道结构；
于沟道外周依次沉积一高介电常数材质层和一金属材料层，形成悬空于FinFET衬底之上的全包围沟道；
形成所述第一开口和所述第二开口前进行的步骤还包括：
采用化学机械研磨工艺至所述鳍形结构露出。
2.如权利要求1所述的FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法中，所述去除氮化物前进行的步骤还包括：
采用化学机械研磨工艺使所述鳍形结构上表面露出。
3.如权利要求1所述的FinFET器件的制备方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述鳍形结构两侧的氧化物层。
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