[发明专利]一种超高密度LED显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超高密度LED显示器件，其特征在于此LED显示器件包含有复数个LED发光芯片，芯片上设有通过自身发光固化的方式涂敷的光转换材料。

2.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于：芯片与芯片之间通过模塑料进行光隔离。

3.根据权利要求2所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于，模塑料材料为热塑性聚邻苯二甲酰胺，热固性环氧树脂等高反射率材料。

4.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于：在不同LED芯片上设有多于1种颜色的通过自身发光固化的方式涂敷的光转换材料。

5.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于，所述LED芯片单元为结构和发光波段相同的同种LED芯片单元。

6.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于，所述芯片的衬底为蓝宝石衬底。

7.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于：光转换材料为荧光粉与环氧树脂胶或硅胶混合物。

8.根据权利要求1所述的一种超高密度LED显示器件，其特征在于：光转换材料为量子点荧光材料与环氧树脂胶或硅胶混合物。

9.一种超高密度LED显示器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)准备一基板，将芯片阵列设置到基板上，并且在芯片周边设置不透光材料以实现芯片与芯片之间的光隔离；在芯片设置到基板之前或之后，于基板上设置通孔及金属布线层。

(2)将荧光粉通过芯片自身发光固化的方式设置在该LED芯片阵列上。

10.根据权利要求9所述的一种超高密度LED显示器件的制造方法，其特征在于：

步骤(1)包含如下步骤：

步骤(1.1)在一块载板上粘贴胶带，胶带的上表面用于粘贴芯片。

步骤(1.2)将测试良好的芯片有电极一面向下粘贴到胶带上。

步骤(1.3)用模塑料对芯片以及芯片之间的空隙进行覆盖填充；然后将其放入烘箱中进行固化；固化完成以后将载板和胶带从系统中剥离。

步骤(1.4)在模塑料中形成通孔，并且进行孔金属化。

步骤(1.5)在模塑料上下表面设置金属布线层，并使芯片表面电极与模塑料上表面布线层相连，并通过通孔与模塑料下表面布线层电性连接。

11.根据权利要求9所述的一种超高密度LED显示器件的制造方法，其特征在于：

所述步骤(1)包含如下步骤：

步骤(1.1)在基板中设置通孔，并且进行孔金属化。

步骤(1.2)在基板上下表面设置金属布线层，并使基板上下表面布线层通过通孔实现电性连接。

步骤(1.3)在基板上设置凸点下金属层。

步骤(1.4)在LED芯片上设置金属电极及凸点下金属层，在芯片或基板的凸点下金属层上设置导电凸点，将芯片倒装焊接到基板上。

步骤(1.5)LED芯片与LED芯片之间设置不透光材料进行光隔离：将不透光材料涂覆于整个基板上超过芯片高度，然后通过刮除的方法使芯片表面露出实现对芯片与芯片之间的光隔离；然后将其放入烘箱中进行固化。

12.根据权利要求9所述的一种超高密度LED显示器件的制造方法，其特征在于：步骤(1)与步骤(2)之间还包含如下步骤：将驱动控制电路的芯片及器件设置在模塑料或基板下表面，使之与LED实现电连接。

13.根据权利要求9所述的一种超高密度LED显示器件的制造方法，其特征在于：所述的步骤(2)包括如下步骤：

步骤(2.1)准备红色荧光粉、绿色荧光粉和蓝色荧光粉。

步骤(2.2)用钢网作为掩膜露出芯片表面，覆盖芯片四周，将硅胶预涂覆到LED芯片表面，在150℃下进行固化一个小时。

步骤(2.3)将红色荧光粉涂覆到具有硅胶预涂覆层的LED芯片上，在40℃下进行烘干，并选择性点亮第一批LED芯片利用LED芯片自身发光进行固化。并将荧光粉涂层放置到热的去离子水中，实现仅在第一批点亮的芯片表面覆盖红色荧光粉，再进行烘烤。

步骤(2.4)将绿色荧光粉涂覆到具有硅胶预涂覆层的LED芯片上，在40℃下进行烘干，并选择性点亮第二批LED芯片利用LED芯片自身发光进行固化。并将荧光粉涂层放置到热的去离子水中，实现仅在第二批点亮的芯片表面覆盖绿色荧光粉，再进行烘烤。

步骤(2.5)将蓝色荧光粉涂覆到具有硅胶预涂覆层的LED芯片上，在40℃下进行烘干，并选择性点亮第三批LED芯片利用LED芯片自身发光进行固化。并将荧光粉涂层放置到热的去离子水中，实现仅在第三批点亮的芯片表面覆盖蓝色荧光粉，再进行烘烤。