[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510665295.9 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105336732A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨硕;邵小娟;郑建森;徐宸科;卓佳利;朱学亮;刘建明;林文禹;陈圣昌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;B23K26/38 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.半导体器件，从下至上包括待加工层、标示层和功能层，所述待加工层最终需通过隐形切割技术在切深位置加工，所述标示层为所述隐形切割的预切割道和实际切割道提供对比位置关系，所述功能层为半导体器件的功能部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述待加工层为透明衬底或者半透明衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述标示层包含网格状结构，所述网格状结构在水平面上投影与隐形切割的预切割道重合。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述标示层包含荧光材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述荧光材料为红外荧光粉。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述荧光材料受激发后，形成可见光区域，所述可见光区域在切深位置水平面投影的中心线与隐形切割预切割道的中心线距离不超过5μm。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述功能层包括发光二极管外延层或激光二极管外延层或太阳能电池外延层。
8.半导体器件的制备方法，其包括以下步骤：
（1）提供一待加工层；
（2）在所述待加工层上生长标示层；
（3）在所述标示层上生长功能层；
所述待加工层为最终需通过隐形切割加工的透明或者半透明衬底，所述标示层为所述隐形切割的预切割道和实际切割道提供参考位置关系。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述标示层包含网格状结构，所述网格状结构在水平面上投影与隐形切割的预切割道重合。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述网格状结构具备发出可见光的功能。
11.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述网格状结构的材料为红外荧光材料。
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