[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

发光堆叠结构，包括第一接触层和位于第一接触层的至少一部分上的台面结构；

第一电极结构，位于第一接触层上，并包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的延伸部分；以及

第二电极结构，位于台面结构上，

其中，第一电极结构包括形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层，

延伸部分包括与第一接触层接触的另一部分。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述从第一电极焊盘延伸的延伸部分形成线状图案。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，延伸部分的所述另一部分包括延伸部分的端部。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，第二电极结构包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘延伸的延伸部分。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述从第二电极焊盘延伸的延伸部分形成线状图案。

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，第二电极结构包括形成在第二电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在从第二电极焊盘延伸的延伸部分的一部分下面的点图案电流屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层中的至少一个用作反射光的反射体。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，第一电极结构还包括：

接触材料层，覆盖形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层；以及

反射率比接触材料层的反射率高且绝缘性比接触材料层的绝缘性高的材料。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层包括分布式布拉格反射器。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括p型区域以及形成在P型区域上的透明电极层，其中，第二电极结构具有与透明电极层接触的一部分。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括III族氮化物基半导体层。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构具有近似矩形或正方形的形状，并包括第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘以及与第三边缘相对的第四边缘。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，第一电极焊盘位于第一边缘附近，所述延伸部分从第一电极焊盘向第二边缘延伸。

14.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

发光堆叠结构，包括第一接触层以及位于第一接触层的至少一部分上的台面结构；

第一电极结构，位于第一接触层上；以及

第二电极结构，位于台面结构上，

其中，第一电极结构和第二电极结构中的至少一个包括如权利要求1所述的焊盘型电流屏蔽层和点图案电流屏蔽层。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中：

第一电极结构包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的至少一个延伸部分；

第二电极结构包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘延伸的至少一个延伸部分；

焊盘型电流屏蔽层设置在第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个下面，点图案电流屏蔽层设置第一电极结构和第二电极结构中的至少一个的延伸部分下面。