[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化物层和浮栅材料层；

步骤S2：执行LDD离子注入，以在所述半导体衬底中预期形成源漏的区域中形成LDD离子注入区域；

步骤S3：在所述浮栅材料层上形成隔离材料层、控制栅材料层和掩膜层，图案化所述掩膜层、所述控制栅材料层、所述隔离材料层和所述浮栅材料层，以在所述LDD离子注入区域的两侧形成若干相互间隔的栅极叠层；

步骤S4：在所述栅极叠层的两侧执行源漏注入，以形成为所述LDD离子注入区域所包围的源漏。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31：在所述浮栅材料层和所述半导体衬底中与所述LDD离子注入区域延伸方向相垂直的方向上形成浅沟槽隔离结构；

步骤S32：回蚀刻所述浅沟槽隔离结构中的隔离材料层，以露出部分所述浮栅材料层；

步骤S33：在所述浮栅材料层上形成所述隔离材料层、所述控制栅材料层和所述掩膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S31包括：

步骤S311：在所述浮栅材料层上形成第二掩膜层，图案化所述浮栅材料层、所述半导体衬底和所述第二掩膜层，以在与所述LDD离子注入区域延伸方向相垂直的方向上形成浅沟槽；

步骤S32：在所述浅沟槽中填充隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构；

步骤S33：去除所述第二掩膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，在所述源漏注入中所述栅极叠层的高宽比为5:1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD离子注入的能量为15-30Kev。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD离子注入的剂量为3×10¹⁴-5×10¹⁴cm^-2。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中在执行所述源漏注入之前，还进一步包括在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁的步骤。

8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的半导体器件。

9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。